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恩智浦新概念三路Doherty参考设计亮相,引领RF基站走上更高能效之路

2009-06-09 09:42:58 来源:大比特资讯

 
    推出基于第七代LDMOS BLF7G22L-130晶体管的业界最高功效分立式Doherty放大器

    恩智浦半导体(NXP Semiconductors,由飞利浦成立的独立半导体公司)近日发布了全球最高效的三路Doherty放大器,为节能RF基站树立了新的标准,并拓展了其业界领先的RF功率解决方案系列。 

    该Doherty电路基于恩智浦特有专利的设计概念,对于多载波W-CDMA信号,其能效水平超过47%,平均功率输出为48 dBm,增益为15 dB,峰均比为8 dB。目前的设计涵盖了W-CDMA标准I频段工作频率,专门面向高产量、调整极小的批量制造而推出。 
    
    恩智浦半导体射频功率产品市场总监Mark Murphy表示:“凭借创新的三路Doherty概念,我们将Doherty放大器的优势与我们针对Doherty优化的第七代LDMOS技术巧妙地结合起来,实现了业界最高的能效水平和良好的预失真能力,同时显著节省了成本。LTE等新兴移动通信标准要求高功效放大器,Doherty技术的开发正是为了直接响应客户的这一需求。这样一来,由于实现了创记录的高功效和性能,系统的总功耗将显著降低。” 

    恩智浦将在2009年度IMS展会上展示首款三路LDMOS Doherty放大器,以及适合微波和广播/ISM应用的其它高性能产品。该展会将于6月9日至11日在美国马萨诸塞州波士顿市举行,恩智浦展台号为2403。恩智浦还将在6月7日至12日举办的2009年度IMS会议上就Doherty技术概念发表演讲。 

    上市时间和价格 

    恩智浦即日起提供三路LDMOS Doherty放大器样品。

 

 

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