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Spansion推出业内首款4Gb NOR闪存

2011-08-15 09:37:00 来源:大比特半导体器件网

摘要:  Spansion公司日前发布了业内首款基于65纳米生产技术的单芯片4Gb(千兆比特)NOR闪存产品——4Gb Spansion® GL-S。通过高速读取以及出色的质量保证,协助游戏及汽车应用提供更完美的交互图像、动画及视频服务,从而提升用户体验。

关键字:  内存,  车载,  芯片,  电子,  通讯

Spansion公司日前发布了业内首款基于65纳米生产技术的单芯片4Gb(千兆比特)NOR闪存产品——4Gb Spansion® GL-S。通过高速读取以及出色的质量保证,协助游戏及汽车应用提供更完美的交互图像、动画及视频服务,从而提升用户体验。

此款Spansion GL-S系列的新成员将在本月开始供样。基于Spansion所拥有的高可靠性MirrorBit®电荷捕获技术,Spansion GL-S系列与同类NOR闪存产品相比在读取性能方面的有了45%的提升。 该系列产品目前能提供从128Mb到2Gb的存储方案并已经在消费电子、汽车、游戏、通讯和工业应用领域有诸多领先的成功案例。

高速随机读取性能在诸如游戏和车载娱乐信息应用等领域尤为关键,这些领域往往需要丰富立体的三维图像、快速移动和交互性。下一代游戏开发将把智能手机的多点触控体验引入电子游戏界面,因此对软件和处理器性能的需求将增加,由此对闪存的快速读取性能的要求也将不断提升。另外,高分辨率显示的特性同样需要更高质量的图形处理和高密度闪存。

主要特性:

l Spansion GL-S系列及其具备的高性能,非常适用于手持消费游戏、游戏盒、手持学习设备、如街机游戏、资讯站等产业娱乐设备以及车载信息娱乐系统等应用。

l 4Gb GL-S产品今年8月供样,将于2011年第四季度开始量产。

l Spansion GL-S系列现提供产品密度范围128Mb至2Gb。

l 在原先67.4MB/s页面浏览速度上提升45%至98.5MB/s。

l 第三方数据表明,GL-S产品相较同类产品编程速度提升30%。

l 65nm MirrorBit技术奠定了Spansion在高密度NOR闪存行业的领导地位。

l 支持温度范围0℃至+85℃。

l 补充的定制软件驱动程序和Flash文件系统软件

高层引述:

Jim Handy, Objective Analysis公司总裁

Objective Analysis公司总裁Jim Handy表示:“Spansion始终在开发基于MirrorBit电荷捕获技术的差异化NOR闪存产品上保持强劲实力。游戏产业领域所需要的丰富图像应用往往需要更高密度的NOR闪存,Spansion GL-S系列最新的4Gb产品拥有快速的读取性能并充分满足该行业增长需求。”

Avo Kanadjian,Spansion公司市场营销副总裁

Spansion公司市场营销副总裁Avo Kanadjian表示:“消费电子领域,尤其是电子游戏和车载娱乐信息应用,对于速度和质量有着很高的要求,制造商们持续在其系统中增加更多的交互性、三维图像、多点触控和动画影像。为了呈现最好的交互体验,制造商们需要更高密度和更快读取性能的闪存。Spansion此次推出全新4Gb产品,进一步扩大了公司在嵌入式市场中高密度NOR闪存的领先优势,使得我们的客户得以开发拥有最佳用户体验的创新性产品。”

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