氮化镓可望在功率器件领域大放异彩
在第五届EEVIA年度中国ICT媒体论坛暨2016产业和技术展望研讨会的现场，富士通电子元器件市场部高级经理蔡振宇表示，基于氮化镓做的功率器件，可以给电源设计带来更高的开关频率、更高的效率和更高的省电率。他在会上谈到：“在整个功率器件发展的过程中，1970年有第一个可控硅出来。随着时间和技术的推移，功率密度的要求逐渐提升，因此出现了二级的晶体管。而到了90年代末出现了IGBT。至2000年，硅基产品已经达到了物理极限。现在我们要让开关频率进一步提高，怎么办?现在整个市场上有两个新材料，即氮化镓和碳化硅。”
蔡振宇表示，氮化镓和碳化硅最大的特点是开关频率可以很高，因此适合高压的应用。“氮化镓的电子流动性会比较高，有很好的开关性能，在实验室做起来可以有很高的速度。目前市面上很多射频产品都是基于氮化镓做的。而碳化硅是另外一个材质，它的高压性能会比较好一些，高温的性能比现有的氮化镓好一些。但由于碳化硅很硬，要钻石刀才能切。因此，从成本的角度来看，氮化镓会比碳化硅更便宜。”
而除了功率的提高，氮化镓还能使器件的尺寸大大缩小。对此，蔡振宇分析道：“随着各方面的效率的提高，电容尺寸随之减小，整个板的尺寸可以减少20%，体积可以减少30%。给大家带来更高效率、更小体积的转换器，这是氮化镓的一个特点。”
蔡振宇认为，今年将是氮化镓非常重要的一年。据其透露，富士通电子至今已经推出了TPH3006、TPH3002、TPH3205以及TPH3206等产品。据悉，其600V的氮化镓产品是第一个也是唯一通过JEDEC业界认证的氮化镓产品。“今年我们会推出900V和1200V的产品。而未来，我们会往高压方向走。在低压方面我们会做150V的产品。除了单颗的氮化镓产品，我们也有模组的产品。我们的最终目标是做到E-mode的氮化镓产品。”
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