大比特商务网 |资讯中心 |技术论坛 |解决方案 登录 注册 |数字刊 |招聘/求职
广告
广告
您的位置: 半导体器件应用网 >>新品速递 >> 英飞凌新品:采用SOT-223封装的CoolMOS™ P7

英飞凌新品:采用SOT-223封装的CoolMOS™ P7

2017-08-24 09:45:04 来源:21ic

【大比特导读】英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通过SOT-223封装进一步壮大新近推出的CoolMOS™ P7产品阵容。全新器件是作为DPAK简易替换器件而开发的,完全兼容典型的DPAK封装。

英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)通过SOT-223封装进一步壮大新近推出的CoolMOS™ P7产品阵容。全新器件是作为DPAK简易替换器件而开发的,完全兼容典型的DPAK封装。全新CoolMOS P7平台与SOT-223封装相结合,使其非常适于智能手机充电器、笔记本电脑适配器 、电视电源 和 照明等诸多应用。

英飞凌新品:采用SOT-223封装的CoolMOS™ P7

全新CoolMOS™ P7专为满足小功率SMPS市场的需求而设计,具备出色的性能和易用性,而设计人员可以充分利用其经过改进的外形。该器件采用具有价格竞争力的超结技术,可为客户削减物料成本(BOM)。

SOT-223封装是DPAK封装的经济型替代方案,在价格敏感的市场上已被广泛接受。目前已在多种应用场合下对采用SOT-223封装的CoolMOS™ P7的热性能进行了评估。用SOT-223取代DPAK封装,相比标准DPAK而言,其温度最多升高2-3°C。铜面积为20 mm2或大于20 mm2时,其热性能与DPAK相当。

本文由大比特资讯收集整理(www.big-bit.com)

分享到:
阅读延展
英飞凌 CoolMOS™ DPAK封装
  • 大联大品佳集团推出基于Infineon产品的车用车门控制解决方案

    大联大品佳集团推出基于Infineon产品的车用车门控制解决方案

    2018年12月13日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布,其旗下品佳推出基于英飞凌(Infineon)的ePower TLE987x MCU在车用车门控制解决方案。

  • 英飞凌科技大中华区荣膺“2018年大中华区最佳职场”殊荣

    英飞凌科技大中华区荣膺“2018年大中华区最佳职场”殊荣

    英飞凌科技大中华区(以下简称“英飞凌”)荣膺“2018年大中华区最佳职场”殊荣。这是继2016年之后,英飞凌再获此项荣誉,也是唯一一家两度获得这一殊荣的半导体企业,彰显了业界对于英飞凌人才发展理念及实践的高度认可,同时也体现了员工对公司的信任与支持。

  • 贝能国际喜获英飞凌2018年度三项大奖

    贝能国际喜获英飞凌2018年度三项大奖

    日前,英飞凌科技股份公司2018年度分销商大会在泰国曼谷举行,作为中国市场重要分销商合作伙伴,贝能国际有限公司应邀参加此次会议,并凭借在多个应用领域的卓越表现,获英飞凌授予“2018年度工业功率控制市场杰出表现奖、电源管理及多元化市场深度拓展卓越表现奖、最佳数据安全解决方案开发奖”。

  • 英飞凌CoolGaN解决氮化镓功率器件可靠性、成本等挑战

    英飞凌CoolGaN解决氮化镓功率器件可靠性、成本等挑战

    CoolGaN™是打开高效能源之门的钥匙。因为他在更高电压运行,具有更高频率的开关、更薄的主动层、功率密度扩散、散热能力提升,因此可实现提升效率、更稳定可靠、更高功率密度、减小系统尺寸、简化控制、降低系统成本等好处。

  • 谁能掌握SiC技术,便可引领半导体行业发展

    谁能掌握SiC技术,便可引领半导体行业发展

    日前,德国大厂英飞凌宣布,已收购一家名为Siltectra的初创企业,将一项创新技术(ColdSpilt)也收入了囊中。

  • 英飞凌氮化镓解决方案投入量产

    英飞凌氮化镓解决方案投入量产

    英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)携氮化镓(GaN)解决方案CoolGaN™ 600 V增强型HEMT和氮化镓开关管专用驱动IC(GaN EiceDRIVER™ IC),精彩亮相2018年德国慕尼黑电子展。

  • 安森美ATPAK封装兼容DPAK,体积还小35% 可用于现代电源设计

    安森美ATPAK封装兼容DPAK,体积还小35% 可用于现代电源设计

    半导体器件技术的不断发展,使现有的应用能够更好地实现,以及推进新的应用。最近的创新从根本上改进了封装技术的方式,特别是有关汽车和针对电源的应用。

  • Vishay推出采用PowerPAK SO-8L封装的N沟道器件SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E

    Vishay推出采用PowerPAK SO-8L封装的N沟道器件SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E

    Vishay 推出3颗采用小尺寸PowerPAK® SO-8L封装的N沟道器件---SiHJ8N60E、SiHJ6N65E和SiHJ7N65E,扩充其600V和650V E系列功率MOSFET。Vishay Siliconix 600V SiHJ8N60E和650V SiHJ6N65E、SiHJ7N65E更省空间,可替代TO-252(DPAK)封装的MOSFET,具有高可靠性和小封装电感,可用于照明、工业、电信、计算和消费应用。

  • 以经济合算的方式采用SOT-223封装的CoolMOS™ CE直接替换DPAK器件

    以经济合算的方式采用SOT-223封装的CoolMOS™ CE直接替换DPAK器件

    英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)采用SOT-223封装进一步扩充CoolMOS™ CE产品系列的阵容。对于英飞凌CoolMOS而言,该封装是针对DPAK的一种经济性备选方案,同时能在某些耗散功率较低的设计中节省空间。去除了中间引脚的SOT-223封装完全兼容典型的DPAK封装,可被用于直接替换DPAK。

  • Vishay新款25W厚膜功率电阻可为汽车和工业应用节省空间和成本

    Vishay新款25W厚膜功率电阻可为汽车和工业应用节省空间和成本

    日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,发布新的通过AEC-Q200认证的25W厚膜功率电阻---DTO25,它采用小尺寸、表面贴装TO-252型(DPAK)封装。对于汽车、工业和国防应用,Vishay Sfernice DTO25比前一代方案节省更多空间,在PCB上的耗散功率则达到3W以上,阻值范围较宽。

  • Vishay新款TMBS®整流器减少功率损耗并提高效率

    Vishay新款TMBS®整流器减少功率损耗并提高效率

    宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 8 月1 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出12款电流等级从6A至20A的新型45V、60V和100V器件,扩大其TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。器件适合商业应用,具有极低的正向压降,采用表面贴装TO-252(DPAK)封装。

微信

第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“大比特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得大比特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!

发表评论

  • 最新评论
  • 广告
  • 广告
  • 广告
广告
Copyright Big-Bit © 1999-2016 All Right Reserved 大比特资讯公司 版权所有      未经本网站书面特别授权,请勿转载或建立影像,违者依法追究相关法律责任