大比特商务网 |资讯中心 |技术论坛 |解决方案 登录 注册 |数字刊 |招聘/求职
广告
广告
您的位置: 半导体器件应用网 >>行业要闻 >> 行业新闻 >> MRAM技术新突破!台湾清大团队发表新磁性翻转技术

MRAM技术新突破!台湾清大团队发表新磁性翻转技术

2019-03-15 10:09:12 来源:芯科技

【大比特导读】全球各半导体大厂如三星、东芝、英特尔等摩拳擦掌竞相投入磁阻式随机存取存储器(MRAM),准备在后摩尔定律世代一较高下。台湾清华大学研究团队最新发表以自旋流操控铁磁-反铁磁纳米膜层的磁性翻转,研究成果已于今年2月19日刊登于材料领域顶尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。

全球各半导体大厂如三星、东芝、英特尔等摩拳擦掌竞相投入磁阻式随机存取存储器(MRAM),准备在后摩尔定律世代一较高下。台湾清华大学研究团队最新发表以自旋流操控铁磁-反铁磁纳米膜层的磁性翻转,研究成果已于今年2月19日刊登于材料领域顶尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。

MRAM为非挥发性存储器技术,断电时利用纳米磁铁所存储的数据不会流失,是“不失忆”的存储器。其结构如三明治,上层是自由翻转的铁磁层,可快速处理数据,底层则是钉锁住的铁磁层,可用作存储数据,两层中则有氧化层隔开。

mram

其运作原理当此二铁磁层磁化方向相同,是低电阻态,代表“1”;二铁磁层磁化方向相反,为高电阻态,代表“0”。有别于目前主流存储器SRAM与DRAM,MRAM兼具处理与存储信息功能,断电时信息不会流失,电源开启可实时运作,耗能低、读写速度快,成为产业界看好的明日之星。

不过,当中技术关键就是如何操控钉锁住的铁磁层。简单来说,若要将铁磁层磁矩方向钉锁住,只需“黏”上一层反铁磁层即可,制成的铁磁-反铁磁膜层即可应用在磁存储器上。

此现象称为“交换偏压”,虽发现至今已超过60年,其应用性极广,但背后的物理机制未明。且交换偏压操控性极为有限,必须将元件升温,再于外加磁场下降温,才能改变铁磁层磁矩的钉锁方向。

因而世界各研究团队莫不希望突破此困境,寻求突破性的操控技术。其中一个突破点,就是善用自旋流。台湾清大研究团队解释,电子具有电荷,也具有自旋:当电荷流动时,即会产生熟悉的电流,若有办法驱动自旋流动,即可产生自旋流。

据了解,台湾清大研究团队利用自旋流通过铁磁-反铁磁膜层,率先展示操控元件“交换偏压”方向与大小,创下该领域技术新里程碑。且该技术可与现有电子元件操控与制程无缝接轨,是MRAM大突破,为自旋电子学带来崭新视野。

然而,发展过程也非全然顺遂,全球首见的利用自旋流操控交换偏置曾引起审稿委员质疑是元件温度升高所致,与自旋流无关。不过,通过研发团队发新测量技术,排除热效应,成功消弭外界专家质疑。

目前研究团队已将相关技术应用到其它结构的纳米膜层,而这项突破除学术贡献外,通过相关计划,对于存储器产业也有决定性影响力。这项技术在学理上的存取速度接近SRAM,具闪存非挥发性特性,平均能耗远低于DRAM,具应用于嵌入式存储器潜力,随着AI、物联网设备与更多的数据收集与传感需求,MRAM市场预期将迅速成长。

本文由大比特资讯收集整理(www.big-bit.com)

  • 赞一个(
    0
    )
  • 踩一下(
    0
    )
分享到:
阅读延展
MRAM 三星 存储器
  • 英特尔MRAM技术已悄然间商用化

    英特尔MRAM技术已悄然间商用化

    MRAM (Magnetic Random Access Memory,磁阻式随机存取存储),是一种非易失性存储技术,从 1990 年代开始发展。此技术速度接近静态随机存储的高速读取写入能力,具有闪存的非挥发性,容量密度及使用寿命不输 DRAM,但平均能耗远低于 DRAM,而且基本上可以无限次地重复写入。

  • 动作频频 三星持续引领全球商用显示器市场

    动作频频 三星持续引领全球商用显示器市场

    根据相关数据显示,三星电子在2018年占据了全球商业显示器市场的四分之一,连续第10年保持领先地位。

  • 8K元年彩电暗战正酣 索尼三星夏普“三国杀”

    8K元年彩电暗战正酣 索尼三星夏普“三国杀”

    在3月14日~17日举办的中国家电及消费电子博览会(AWE2019)上,8K电视也成为各大家电企业抢占的一块地盘。记者在现场发现,包括夏普、三星、索尼等企业均在8K方面高调发声。索尼和三星在8K方面的布局颇为明显,会场两家企业的展台也相对而设,彰显出8K时代的战火硝烟。

  • 折叠屏手机“爆发” 巨头入场竞逐先发优势

    折叠屏手机“爆发” 巨头入场竞逐先发优势

    近期,折叠屏手机成为智能手机市场的热门话题。不久前西班牙巴塞罗那世界移动通信大会开幕前后,包括三星、华为在内的一批厂商密集发布了不同款型的折叠屏手机,引发全球市场关注。

  • 小米加码印度市场!向印度企业注资5亿美元

    小米加码印度市场!向印度企业注资5亿美元

    最新的数据指出,小米2018年在印度智能手机的市场份额持续提升,但三星和OPPO却面临了市占下滑的情况。最新的IDC报告显示,2018年印度智能手机出货量增长14.5%至1.423亿部。

  • 2018年全球显示器面板市场排名:三星/LGD/京东方前三

    2018年全球显示器面板市场排名:三星/LGD/京东方前三

    根据市场研究机构IHS Markit发布数据显示,去年全球显示器面板市场上,三星显示器和LG显示器市占率分别位居前两位,再次彰显韩国显示器的优势。

  • 2018年OLED屏幕市场报告

    2018年OLED屏幕市场报告

    2月21日,三星在旧金山新品发布会上发布了折叠手机GalaxyFold,随后的2月24号,在MWC大会上,华为也展示了折叠屏手机Mate X。折叠屏手机的火热,让OLED面板备受关注。

  • TE Connectivity推出滑轨电源连接器

    TE Connectivity推出滑轨电源连接器

    全球连接与传感器领域领军企业TE Connectivity(TE)宣布推出滑轨电源连接器。此连接器是唯一一款无需关闭系统电源,即可在服务器中进行电子元件热插拔的电源连接器产品。滑轨电源连接器专为硬盘驱动器、电源、机架、服务器、存储器及其它高电流应用设计,能够节省通常情况下更换服务器电子元件时的系统停机时

  • Toshiba与WD正在研发128-Layer3DTLC存储器颗粒

    Toshiba与WD正在研发128-Layer3DTLC存储器颗粒

    目前64-Layer3DTLC已经是主流SSD选配的存储器颗粒,用96-Layer颗粒的SSD也开始上市。然而这当然并不是终点,业界已经正在步向128-Layer的存储器颗粒了。

  • 英特尔:14 纳米缺货状况不会在 10 纳米或 7 纳米上重演

    英特尔:14 纳米缺货状况不会在 10 纳米或 7 纳米上重演

    2018年下半年,因为处理器龙头英特尔(intel)的14纳米制程产能不足,造成了整体处理器市场的大缺货,进而导致了许多计算机大厂因此而业绩衰退,甚至影响到存储器与其他产品厂商的业绩。

  • 美光MWC新产品亮相 推全球首款1TB闪存卡

    美光MWC新产品亮相 推全球首款1TB闪存卡

    美国存储器领导厂美光25日在世界移动大会(MWC)发表全球首款超大容量microSD闪存卡——Micronc200系列1TBmicroSDXCUHS-I。该产品为高性能的可抽取式储存解决方案,提供高达1TB1的储存容量,消费者可用此闪存卡,在手机或其他电子装置上储存4K影片、照片与游戏。预计第2季上市销售。

  • DRAM市况3月好转,价格跌幅开始收敛

    DRAM市况3月好转,价格跌幅开始收敛

    DRAM市况3月好转,价格跌幅开始收敛 。2月27日,南亚科总经理李培瑛表示,去年大幅成长的服务器存储器市场经过两季的调整,3月起市况开始好转。

  • 东芝存储器株式会社推出采用BiCS FLASH 3D闪存、符合e-MMC Ver.5.1标准的嵌入式闪存产品

    东芝存储器株式会社推出采用BiCS FLASH 3D闪存、符合e-MMC Ver.5.1标准的嵌入式闪存产品

    存储器解决方案全球领导者东芝存储器株式会社今日宣布,符合JEDECe-MMCVer.5.1[1]标准的全新嵌入式闪存产品将于3月底启动样品发货,该产品采用BiCSFLASH™3D内存,专门为消费类应用设计。 此新闻稿包含多媒体内容文传商讯

微信

第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“大比特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得大比特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!

发表评论

  • 最新评论
  • 广告
  • 广告
  • 广告
广告
Copyright Big-Bit © 1999-2016 All Right Reserved 大比特资讯公司 版权所有      未经本网站书面特别授权,请勿转载或建立影像,违者依法追究相关法律责任