速度快10倍 三星推出Toggle DDR 2.0闪存
2011-05-16 15:46:00
来源：赛迪网
摘要： 近日，三星宣布将在全球率先量产采用Toggle DDR 2.0标准的20纳米级超高速MLC NAND Flash。
近日，三星宣布将在全球率先量产采用Toggle DDR 2.0标准的20纳米级超高速MLC NAND Flash。
Toggle DDR 2.0 NAND Flash
Toggle DDR 2.0 NAND Flash具有高性能、大容量的特点，能够实现400Mbps数据处理速度，比通用NAND Flash快10倍。而相比之下，目前大量应用的DDR 1.0标准为133Mbps，普通SDR NAND闪存仅为40Mbps。
而应用方面，Toggle DDR 2.0 NAND Flash的推出能够扩大4G智能手机、平板电脑、SSD等高速NAND市场，同时带来速度的提升。
64Gb Toggle DDR 2.0 MLC NAND Flash更适合用来搭载比现有速度快一倍的USB 3.0接口，有望成为SATA 6Gbps等下一代接口、大容量产品上最合适的NAND Flash方案。
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