摘要：  应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出一批新的共模滤波器(CMF)，这些器件集成了静电放电(ESD)保护，用于抑制噪声及提供高信号完整性。

关键字：  安森美半导体，  共模滤波器，  机顶盒

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出一批新的共模滤波器(CMF)，这些器件集成了静电放电(ESD)保护，用于抑制噪声及提供高信号完整性。新器件包括EMI2121、EMI4182及EMI4183，非常适合于应用在智能手机、多媒体平板电脑、无线连接底座(dongle)、数码摄像机及机顶盒和DVD播放机。

安森美半导体推出的这些新的共模滤波器不同于传统的电磁干扰(EMI)滤波器，乃是基于硅片制造，更适合以更深度及更高频率抑制EMI，非基于陶瓷或铁氧体的方案可比。这些集成ESD保护及EMI抑制功能的新器件，比竞争方案节省空间多达50%，从而可以可观的节省物料单(BOM)，且为无线手机设计人员提供了整体(turnkey)解决方案。

安森美半导体保护产品分部副总裁兼总经理Gary Straker说：“集成的ESD保护是设计工程师进行高速串行接口元件选型时考虑的一项重要因素。EMI2121、EMI4182和EMI4183是我们与八大智能手机及平板电脑制造商其中数家持续协作的成果;这些制造商正在创构屏幕尺寸更大、分辨率更高并配合带宽越来越高之应用的产品，同时还希望能符合消费者对时尚小巧设计的需求。”

EMI2121是单对共模滤波器，EMI4182是双对共模滤波器，EMI4183是三对共模滤波器，全都提供500兆赫兹(MHz)时典型值15分贝(dB)的共模抑制，及500 MHz时典型值仅1.0 dB的插入损耗。它们的高差模带宽截止频率确保高度的信号完整性。这些器件提供集成的ESD保护，符合IEC61000-4-2标准15千伏(kV)峰值放电的保护要求。它们提供40 C至+85 C的工作温度范围，每款器件都提供32伏(V)钳位电压，通常优于现有陶瓷方案最少三十倍。

IHS iSuppli高级分析师Tina Teng说：“相比串行接口的配备率(attachment rate)，手机市场以倍数增长，这主要归因于采用如MIPI等高速接口的相机及显示屏、HDMI的新增功能和高端功能型手机、智能手机及多媒体平台电脑等市场。”

这些经过优化的新器件用于保护使用移动行业处理器接口(MIPI) DSI及MIPI CSI2接口标准以及USB 2.0(当前高清多媒体接口(HDMI)的高速串行端口版本)。这系列集成保护的共模滤波器产品支持高达3.4 Gbps的数据速率，远高于MIPI、USB 2.0及HDMI接口的要求，同时提供高度的信号完整性。