Diodes 40V 闸极驱动器减少 IGBT 开关损耗
2011-07-05 10:36:53
来源：大比特半导体器件网
摘要： Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器(gate driver) ，有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。
Diodes 公司推出专为开关高功率 IGBT 设计的 ZXGD3006E6 闸极驱动器(gate driver) ，有助于提高太阳能逆变器、电机驱动和电源应用的功率转换效率。
当输入电流为 1mA 时，该闸极驱动器通常可提供 4A 的驱动电流，使其成为控制器的高输出阻抗和 IGBT 的低输入阻抗之间高增益缓冲级的最佳选择。ZXGD3006E6 拥有一个发射极跟随器配置，可防止闩锁效应(latch-up)及贯通问题(shoot-through)，实现少于 10ns 的传输延迟时间。
ZXGD3006E6 的操作范围涵盖 40V，可全面改善开关器件，从而把通态损耗降至最低。该器件同时允许从 +20V 至 -18V 的闸极驱动，有助于防止由 dV/dt 引起的IGBT 误触发(false triggering)。
这个闸极驱动器提供独立电源和路漏输出(sink output)，可分别器件开启及关闭时间，从而让电路设计师能为特定应用设定更佳的开关功能。再加上拥有 10Amp 的峰值电流处理能力，该器件可控制大闸极容性负载的充电和放电，以减少更高运行频率下的 EMI(电磁干扰)问题和跨导风险(cross conduction)。
该闸极驱动器采用坚固耐用的 SOT26 封装，可比竞争器件提供更高的脉冲电流，确保减少热耗散，从而提升产品可靠性。此外，新器件的封装引脚经过优化，能简化印刷电路板布线，并减少寄生引线电感。
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