华虹NEC 0.13 / 0.18微米SiGe工艺技术成功进入量产
摘要： 日前，世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)宣布其最新研发成功、处于业界领先地位的0.13/0.18微米SiGe工艺技术进入量产。由此成为国内首家、全球少数几家可以提供0.13/0.18微米SiGe量产工艺的代工厂之一。
日前，世界领先的纯晶圆代工厂之一，上海华虹NEC电子有限公司(以下简称“华虹NEC”)宣布其最新研发成功、处于业界领先地位的0.13/0.18微米SiGe工艺技术进入量产。由此成为国内首家、全球少数几家可以提供0.13/0.18微米SiGe量产工艺的代工厂之一。
该新型SiGe工艺平台包括0.13um SiGe Bipolar及0.18um SiGe BiCMOS两套工艺，其中0.18um SiGe BiCMOS根据CMOS工作电压的不同，可分为1.8/3.3V和纯5V两种。这几套工艺是华虹NEC针对射频前端、高速通讯等新兴应用而开发的，具有低噪声、高速度、高耐压、多样工艺选项等优点，适合于手机通讯，无线路由，导航及光通讯等领域，极大地方便了客户选择，为客户提供更多的价值。
基于多年0.18/0.25微米RF-CMOS工艺成功的量产经验，结合自身在SiGe技术上的积累与客户对无线射频前端专用工艺的迫切需求，华虹NEC开发了具有国际先进水平的0.13/0.18微米SiGe工艺平台。该工艺平台核心器件性能优良，并提供丰富的器件选项，极大地增加了设计的灵活性。完整的PDK及器件模型，使得电路的设计更加方便快捷，从而大大缩短开发周期，提高开发效率。同时华虹NEC还可以向客户提供优质而完备的设计支持，及时帮助客户解决问题。
华虹NEC销售与市场副总裁高峰表示，“0.13/0.18微米SiGe工艺的成功开发，加快了华虹NEC在射频前端市场的开拓步伐，进一步巩固了其在国内市场的领先地位。华虹NEC将瞄准高端市场需求，继续开发性价比更高的射频工艺技术平台。”
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