半导体技术创新不停步
尽管半导体技术的发展已经进入成熟阶段，但其革新将会继续进行。存储器方面，NAND闪存的容量目前正以超过穆尔法则的速度，即3倍的年率不断扩大。
关于新型非易失性存储器ReRAM，台湾工业技术研究院(ITRI)等将就随机访问时间为7.2ns的4Mbit产品发表演讲(论文序号11.2)。虽为非易失性存储器，却实现了与DRAM相当的高速性能。另外，索尼还会介绍写入速度为216MB/秒的4Mbit产品(论文序号11.7)。这一写入速度同样“是以往的NAND闪存不可能实现的水准”(ISSCC远东地区委员会)，估计该半导体技术会受到人们的关注。
高性能数字领域方面，美国英特尔将就集成有历史上最多的31亿个晶体管的32nm工艺微处理器(开发代码名：Poulson)发表演讲(论文序号4.8)。这种微处理器通过环形总线(RingBus)将共计54MB的片上缓存与8个处理器内核连接在一起。而美国IBM将会介绍工作频率提高至5.2GHz的45nm工艺处理器(论文序号4.1)。据称这是商用处理器首次超过5GHz的频率。该处理器配备有4个处理器内核与30MB缓存，晶体管数量为14亿个。
成像器/MEMS/医疗/显示器方面，估计像素中内置有能量采集(EnergyHarvesting)电路的CMOS图像传感器(论文序号6.7)，以及由振动获得电力的MEMS元件(论文序号6.9)等有关环保发电的演讲将会受到关注。另外，在CMOS芯片上集成有显示功能与拍摄功能的双向有机EL显示器(论文序号17.8)，旨在将视线检测功能整合到头戴式显示器内。
未来半导体技术方面，将受到关注的是WBAN(wirelessbody-area-network)用低功耗高灵敏度收发器(论文序号2.1)、可使监控睡眠时脑电波活动的系统实现小型化的SoC(论文序号2.2)，以及低成本THz成像技术(论文序号2.5)等。
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