镓创晶合探索GaN与AI融合，赋能电力电子新未来
2025-12-02 14:58:35
来源：半导体器件应用网
作者：王奕凯
2025年11月6日，第十一届高校电力电子应用设计大赛总决赛拉开帷幕。镓创晶合与台达电子共同主办AI电路设计赛道，本次比赛共有一百余家高校派队报名参加，有19支队伍最终进入围赛道决赛，比赛热情高涨。
苏州镓创技术总监王彬，产品总监赵阳全程参与了赛事评选工作。作为GaN方案设计的领军企业，镓创晶合与行业专家、高校团队共同聚焦氮化镓电路设计方案与人工智能设计的深度融合，共探技术创新的无限可能。
作为第三代半导体的前沿代表，氮化镓器件凭借高频率、高效率、高功率密度的物理特性，已在数据中心服务器电源、两轮电动车充电器、大型无人机、智能机器人驱动、逆变器、新能源汽车等前沿领域实现应用，但要充分释放其高开关频率、低导通电阻的核心优势，需对电路进行全新设计，以海量氮化镓新电路方案替代传统硅器件方案。
镓创晶合专注于GaN方案设计，为客户提供高性能、高可靠性的GaN功率器件、电源、驱动产品氮化镓解决方案。目前，镓创晶合已与国内外知名氮化镓材料制造商纳微、EPC，中科重仪等达成合作，产品广泛应用于新能源、机器人、消费电子、低空经济等高增领域。
在大赛致辞环节上，镓创晶合产品总监赵阳也表示公司将继续深耕氮化镓技术，推动更多领域的效率革新：“我们期待与各方合作，结合AI推出更优的氮化镓应用方案。”
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