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奥地利微电子推出采用高性能EEPROM的双8位数字电位器,提供行业领先的数据保持时间和写入次数

2008-03-11 09:28:01 来源:半导体器件应用网

    AS1507采用独特的Hi-EPR EEPROM,可提供卓越的直流性能,以及150年数据保持时间和 1000 万次写入次数等无与伦比的性能 

    全球领先的通信、工业、医疗和汽车领域模拟集成电路设计者及制造商奥地利微电子公司今天推出256抽头SPI接口非易失性双数字电位器AS1507,它可提供10、50和100kΩ电阻。作为AS1506的后续产品,AS1507进一步扩展了奥地利微电子的数字电位器产品系列。  

    AS1507 的最大待机电流为500nA,包括 CMOS 写操作电流在内的最大工作电流只有200µA,因此是低功耗应用的理想选择。AS1507 采用 2.7 至 5.5V 单电源工作,端到端电阻温度系数为 90ppm/°C。AS1507 可提供±0.5LSB(最大值)的积分非线性(INL)和 ±0.5LSB(最大值)的差分非线性(DNL)。一个静音输入信号可将两个电位器寄存器的滑动端归零。 

    奥地利微电子公司的标准线性事业部市场总监 Walter Moshammer 表示:“与模拟电位器及同类数字电位器相比,AS1507 具有多种优势。除了具备抗振动和冲击、分辨率更高、小尺寸以及更高性能等明显优势外,AS1507 还提供了一种非常可靠的EEPROM,即使在最恶劣的环境中,存储的信息也可以保持数十年之久,而且能经受数百万次的写入操作。” 

    AS1507 数字电位器将滑动端信息存储在具有高耐用性、高性能和超长保持时间(Hi-EPR)的集成 EEPROM 内,可提供全球领先的写入次数和数据保持时间。在  25°C 条件下,奥地利微电子公司的 Hi-EPR EEPROM 可以进行 1000 万次写入操作,在 85°C 条件下仍可进行惊人的 100 万次写入操作,是传统高级 EEPROM 的 50 倍。此外,AS1507 在 85°C 时可实现 150 年的数据保持,比标准的高级 EEPROM 的信息存储时间长 15 倍。一个就绪信号可显示写入操作完成。 

    AS1507 采用小型16 引脚TDFN 3x3mm封装。


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