两岸DRAM产量之和将在2010年之前超过韩国
2007-05-31 09:18:05
来源:半导体器件应用网
台湾和中国大陆的DRAM产量之和将在2010年之前超过韩国。这一预测是由美国iSuppli发表的。预测的根据是:与DRAM厂商众多、产量目前还将继续扩大的台湾和中国大陆相比,韩国的主力厂商仅有三星电子(Samsung Electronics)和海力士半导体(Hynix Semiconductor),两家公司今后将把生产的重心转向NAND型闪存。
韩国厂商“将把重心转向NAND型闪存”
按地区来看,DRAM金额上的生产比例在2006年韩国为45%、台湾和中国大陆为17%,存在较大差距。据iSuppli的预测,2008年韩国将占46%、台湾和中国大陆占35%,差距将有所缩小。该公司还估计,截至2010年台湾和中国大陆的产量将超过韩国。另外,上述地区产量中包括了各厂商代工生产的部分。比方说,台湾厂商为尔必达内存和德国奇梦达(Qimonda AG)代工生产的DRAM,这一部分将换算为台湾的产量。
iSuppli预测,台湾和中国大陆的生产比例出现增加,是因为受到DRAM价格下跌的影响,三星和海力士将把DRAM的生产能力转向NAND型闪存。iSuppli估计,包括这两家公司在内,著名内存厂商DRAM产品的利润率将于2007年6~7月降至谷底。另一方面,NAND型闪存的价格已于07年1~3月触底,目前正趋于恢复阶段。
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