FM22L16获奖的原因在于其设计创新性、性价比和技术先进性

    全球领先的非易失性铁电随机存取存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation之FM22L16荣获《今日电子》杂志颁发年度产品奖殊荣。FM22L16作为半导体业界首个4兆位 (Mb) 非易失性F-RAM存储器，能够从百多项产品中脱颖而出，在于成功达到针对设计创新性、性价比与技术先进水平的评选标准。

    Ramtron亚太区销售总经理徐梦岚称：“对于获得《今日电子》的年度产品奖殊荣，我们深感自豪。FM22L16将F-RAM技术引进至先进的130纳米工艺制程中，而这是我们与德州仪器共同开发的。F-RAM是理想的非易失性存储解决方案，拥有巨大的潜力改变存储器的现状，尤其是在德州仪器针对 F-RAM而优化的CMOS工艺中，提供了许多全新和集成的产品机会。这款重要产品得到《今日电子》编辑和评审小组的青睐，我们感到非常鼓舞。”

    关于获奖的FM22L16

    FM22L16是目前最高容量的F-RAM产品，这款3V、4Mb并行非易失性RAM采用44脚薄型小尺寸封装 (TSOP)。FM22L16具有高存取速度、几乎无限的读/写次数和低功耗等特点。FM22L16与异步静态 RAM (SRAM) 在管脚上兼容，并适用于工业控制系统如机器人、网络和数据存储应用、多功能打印机、自动导航系统，以及许多以SRAM为基础的系统设计。

    FM22L16是256K x 16非易失性存储器，采用工业标准并行接口实现存取，存取的时间为55ns，周期为110ns。该器件以“无延迟” (NoDelay) 写入的总线速度进行读写操作，耐久性至少为1e14 (100万亿) 次写入和10年的数据保存能力。 

    这种4Mb F-RAM是标准异步SRAM完全替代器件，但其性能却优越很多，因为它在进行数据备份时毋需电池，从而显著提升组件和系统的可靠性。FM22L16是真正的表面安装解决方案，与电池供电的SRAM不同，它不需要更换电池的重写初始化操作，而且具有耐潮湿、抗冲击和振动的特性。

    FM22L16备有与现今高性能微处理器相连的工业标准接口，兼具高速页面模式，能够实现高达每秒80MB的峰值带宽，是市场上速度最快的非易失性存储器之一。

    该器件较标准SRAM具有更低的工作电流，读/写操作时为18mA，在超低电流睡眠模式下仅为5uA。FM22L16在整个工业温度范围内 (-40℃至+85℃) 于2.7V至3.6V电压工作。