IR全新30V DirectFET MOSFET系列为同步降压转换器设计带来更高性能和电流密度
2008-05-28 10:22:04
来源：半导体器件应用网
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) ，推出专为笔记本电脑、服务器CPU电源、图形，以及记忆体稳压器应用的同步降压转换器设计而优化的全新30V DirectFET MOSFET系列。
新器件系列结合IR最新的30V HEXFET功率MOSFET硅技术与先进的DirectFET封装技术，比标准SO-8器件的占位面积小40%，而且采用了0.7mm纤薄设计。新一代30V器件的导通电阻 (RDS(on)) 非常低，同时把栅极电荷 (Qg) 和栅漏极电荷 (Qgd) 减至最少，并以极低的封装电感减少了导通及开关损耗。
IR亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“凭借我们基准的功率MOSFET硅器件和DirectFET封装，新的30V器件具有非常低的RDS(on)、Qg和Qgd特性，可提高整个负载的效率和散热性能。这也有助于实现每相位25A的操作，同时保持单一控制和单一同步MOSFET的小巧体积。”
IRF6724M、IRF6725M、IRF6726M，以及IRF6727M具有极低的RDS(on) 特性，非常适合高电流同步MOSFET。这些新器件与上一代器件采用通用的MT和MX占位面积，所以当需要提高电流水平或改善散热性能时，易于从旧器件转向使用新器件。
IRF6721S、IRF6722S与IRF6722M极低的Qg和Qgd，使这些器件非常适用于控制MOSFET。它们还有SQ、ST和MP占位面积可供选择，可以使设计更具灵活性。
产品规格
|
器件 编号 |
BVDSS (V) |
10V下典型RDS(on) (mOhms) |
4.5V下典型RDS(on) (mOhms) |
典型QG (nC) |
典型QGD |
DirectFET 外形代码 |
|
IRF6721S |
30 |
5.1 |
8.5 |
11 |
3.7 |
SQ |
|
IRF6722S |
30 |
4.7 |
8.0 |
11 |
4.1 |
ST |
|
IRF |
30 |
4.7 |
8.0 |
11 |
4.3 |
MP |
|
IRF |
30 |
1.9 |
2.7 |
33 |
10 |
MX |
|
IRF |
30 |
1.7 |
2.4 |
36 |
11 |
MX |
|
IRF |
30 |
1.3 |
1.9 |
51 |
16 |
MT |
|
IRF |
30 |
1.2 |
1.8 |
49 |
16 |
MX |
新器件符合电子产品有害物质限制规定 (RoHS)，并已接受批量订单。
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