IR推出全新基准MOSFET，将封装电流额定值提升了60%
2008-12-18 10:24:10
来源：大比特资讯
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出具有高封装电流额定值的全新沟道型HEXFET功率MOSFET系列，适用于工业用电池、电源、高功率DC马达及电动工具。
新器件的封装电流额定值达到195A，比典型封装电流额定值高出60%。新款MOSFET具有更低的导通电阻 (RDS (on)) ，并可使用常用的TO-220、D2PAK和TO-262封装。此外，7 管脚D2PAK封装的电流额定值达到240A的卓越水平，使它成为市场上最耐用的表面贴装封装之一。这种7管脚D2PAK封装比D2PAK封装具更低的RDS (on) 。
全新N信道MOSFET系列提供60V至200V的电压，并达到工业级别及湿度敏感度第一阶(MSL1) 标准。新器件均不含铅及符合电子产品有害物质限制指令 (RoHS) 。
产品基本规格如下：
|
器件编号 |
通道
类型 |
Bvdss (V) |
RDS(on)
(mΩ) |
在25ºC 下Id
(A) |
Qg
(nC) |
封装 |
|
N |
60 |
2.5 |
195* |
200 |
TO-220 | |
|
N |
60 |
2.5 |
195* |
200 |
D2PAK | |
|
N |
60 |
2.1 |
240* |
200 |
D2PAK-7 | |
|
N |
75 |
3.0 |
195* |
160 |
D2PAK | |
|
N |
75 |
2.6 |
240* |
160 |
D2PAK-7 | |
|
N |
100 |
4.7 |
180 |
143 |
D2PAK | |
|
N |
100 |
4.0 |
190 |
150 |
D2PAK-7 | |
|
N |
150 |
11 |
104 |
77 |
TO-220 | |
|
N |
150 |
12.1 |
99 |
77 |
D2PAK | |
|
N |
150 |
11.8 |
105 |
73 |
D2PAK-7 | |
|
N |
200 |
20 |
76 |
100 |
TO-220 | |
|
N |
200 |
22 |
72 |
100 |
D2PAK |
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