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Littelfuse公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出首批具有业界领先速度及驱动电流性能的 4 A/8 A 与 4 A/4 A 单通道低侧栅极驱动器，其可最大限度减少 MOSFET、IGBT 电源器件以及诸如氮化镓 (GaN) 器件等宽带隙半导体的开关损耗。
汽车应用工程师面临提供具有更高效率、更大驱动电流和更强抗噪能力的逆变器的设计挑战，尤其是在混合动力汽车(HEV)和电动汽车(EV)领域。为了帮助设计人员应对这些挑战，全球领先的高性能功率和便携产品供应商飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出大电流高侧栅极驱动器IC产品FAN7171和大电流高侧与低侧栅极驱动器IC产品FAN7190。
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出用于配合高密度电源转换器中 MOSFET 与氮化镓 (GaN) 功率场效应晶体管 (FET) 使用的低侧栅极驱动器。LM5114 可驱动同步整流器与功率因数转换器等低侧应用中的 GaN FET 与 MOSFET。
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 推出全新高压栅极驱动器IC产品以满足需求，其中包括具备关断功能的双输入、双输出/高侧和低侧栅极驱动器FAN7392；具备关断功能和受控死区时间的单输入、双输出/半桥器件FAN7393；具备关断和固定死区时间控制功能的单输入、双输出/半桥器件FAN73932，以及具有可控死区时间的双输入、双输出/半桥器件FAN73933。
