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全球SiC领先者CREE推出了业界首款900V MOSFET：C3M0065090J。凭借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM场效应晶体管技术，该n沟道增强型功率器件还对高频电力电子应用进行了优化。超越同样成本的Si 基方案，能够实现下一代更小尺寸、更高效率的电力转换系统，并大幅降低了系统成本。
Wolfspeed (原CREE Power产品)推出业界首款900V SiC MOSFET系列产品，拓展了高频电力电子应用的范围。相比于相当于硅MOSFET，这一突破900V SiC使我们的产品的新市场通过扩大我们在终端系统解决功率范围。
日前，碳化硅(SiC)技术全球领导者半导体厂商Cree宣布推出采用 SiC材料可使感应加热效率达到99%的Vds最大值为1.2KV、典型值为5.0 mΩ半桥双功率模块CAS300M12BM2。该款产品目标用途包括感应加热设备、电机驱动器、太阳能和风能逆变器、UPS和开关电源以及牵引设备等。
在第十一届LED通用照明驱动与智能控制技术研讨会上，Adpower市场总监芮胜骏将携手CREE技术部经理杨小平从应用侧入手详细介绍采用CREE最新高性价比的CXA系列LED以及Adpower的HDP系列驱动，实现高性价比200W Highbay的方案。
对于上半年需求的信心主要基于北美市场的启动以及照明巨头的应对策略。根据DOE的数据截至2012年，北美白炽灯占球泡灯比重的55%左右，而截至2012年底LED的渗透率则不足1%，因此美国从2014年元旦开始全面禁白给LED照明创造了空间;2013年Cree率先挑起价格战使得原先的照明巨头Philips、GE、Osram等都处于被动局面。
美国加利福尼亚州圣何塞，2013年8月27日讯 – 高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的世界领导者Power Integrations公司(纳斯达克股票代号：POWI)今日推出一款适用于可调光PAR38射灯的参考设计，该设计是与知名LED照明公司Cree， Inc.(纳斯达克股票代号：CREE)合作开发的。
美国加利福尼亚州圣何塞，2013年8月27日讯 – 高效率、高可靠性LED驱动器IC领域的世界领导者Power Integrations公司(纳斯达克股票代号：POWI)今日推出一款适用于可调光PAR38射灯的参考设计，该设计是与知名LED照明公司Cree， Inc.(纳斯达克股票代号：CREE)合作开发的
触摸屏(touchscreen)又称为“触控屏”、“触控面板”，是一种可接收触头等输入讯号的感应式液晶显示装置，作为一种最新的电脑输入设备，它是目前最简单、方便、自然的一种人机界面，它赋予了多媒体以崭新的面貌，是极富吸引力的全新多媒体交互设备。
科锐(CREE)以新的95演色性(CRI)选项和两款新型LED扩展其业界领先的CXA系列，为照明设备制造商提供一个集合高性能、设计多样化及低成本的强大平台，可提供高达相当于演色性LED两倍光源的功效。
Mouser现已开始供货Cree XLamp® MK-R LED。
