搜索结果：找到 “关键字” 相关内容 11个， 当前显示 10 条，共 2 页
日前，在第九届中国电子信息博览会上，半导体器件应用网记者采访到了深爱市场营销部人员尹逊杰。
随着电力电子技术的发展，很多场合需要大功率大电流的直流电源。EAST的磁约束核聚变装置使用的直流快控电源即是一种大功率直流电源，其技术要求为：电压响应时间1ms峰值电压50V;最大电流20kA，能实现4个象限的运行。
以太阳能逆变器应用来说，绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 能比其他功率元件提供更多的效益，其中包括高载流能力、以电压而非电流进行控制，并能使逆并联二极管与IGBT配合。本文将介绍如何利用全桥逆变器拓扑及选用合适的IGBT，使太阳能应用的功耗降至最低。
各国政府都将削减可再生能源及交通等领域的支出，因此IGBT器件和模块的制造商面临着一场考验。
日前，推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)持续扩充高性能绝缘门双极晶体管(IGBT)产品阵容，应用于消费类电器及工业应用的高性能电源转换(HPPC)。安森美半导体新的第二代场截止型(FSII) IGBT器件改善开关特性，降低损耗达30%，因而提供更高能效，并转化为更低的外壳温度，为设计人员增强系统总体性能及可靠性的选择。这些新器件针对目标
为了满足现今和新兴点火系统对排放和高燃油效率的严苛要求，汽车设计人员需要更高性能的点火线圈驱动器技术。为帮助设计人员满足这些要求，飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出了在较小的占位面积下具有更低功耗的最新一代点火IGBT器件。
本文基于IGBT器件，利用DC/DC电源并联技术设计大功率直流电源。该电源可用作EAST托卡马克装置中的大功率垂直位移快速控制直流电源。对该电源装置进行了仿真和实验，获得了较为满意的动静态性能。
