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近几年，云计算、5G、物联网、人工智能等产业的迅速发展使得对内存的需求大增。作为内存技术的关键模块，DDR PHY的市场需求也在高速增长。
泰克公司日前宣布，推出业内首款针对下一代移动内存技术---JEDEC LPDDR4的完整物理层及一致性测试解决方案。将于2015年开始采用的LPDDR4技术基于目前的LPDDR3技术，其数据速率将增加到4.26 Gb/s，并使用超低电压核心使功耗降低约35%，以提高智能手机、可穿戴设备和平板电脑等移动设备的性能。
联华电子(UMC)与高拓讯达(AltoBeam)共同宣布，高拓讯达推出了DVB-T2/DVB-T/DVB-C/DVB-S2/DVB-S解调器ATBM7812 ，以因应采用这些标准的数字电视市场需求。 ATBM7812采用联华电子专利的12吋URAM嵌入式内存技术，具备了更高的效能与更小的芯片尺寸。
联华电子与数字电视解调器芯片设计公司高拓讯达(AltoBeam)日前共同宣布，高拓讯达推出了DVB-T2/T/C/S2/S解调器，以因应采用这些标准的数字电视市场需求。ATBM7812采用联华电子12吋URAM嵌入式内存技术专利，具备了更高的效能与更小的芯片尺寸。
据IHS公司的闪存动态简报，2013年无线领域的NOR闪存销售额将比去年下降近三分之一，尽管NOR在嵌入领域的用量仍然保持很大。
嵌入式非挥发性内存厂商力旺电子日前宣布，正式推出全新反熔丝架构之嵌入式非挥发性内存技术NeoFuse，此技术瞄准先进工艺平台，具备硅智财组件尺寸小与保存能力佳等特点，可满足客户产品在先进工艺产品之进阶需求。
微电子产业标准机构JEDEC固态技术协会发布广为业界期待的DDR4内存标准。JEDEC DDR4 (JESD79-4) 内存标准的制定旨在提高性能与可靠性的同时降低功耗。因此，相较于此前的DRAM内存技术，DDR4代表着实质性的进步。新的DDR4 标准现可通过JEDEC官方网站免费下载。
三星和美光在共同声明中表示，DRAM芯片制造商应该开始向名为“hybrid-cube”的混合内存芯片技术过渡，该技术就是将一个芯片叠加到另一芯片之上。新技术将使得内存芯片更快、更高效的向处理器提供数据。
2010年7月14日， 北京讯 –美光科技(Micron Technology， Inc)今天推出了第三代低延时DRAM (RLDRAM○R 3内存)—一种高带宽内存技术，能更有效的传输网络信息。
相变存储 (PCM) 是一项结合了现今多种存储产品类型的不同优点的非易失性内存技术，恒忆 (Numonyx) 与英特尔 (Intel) 今天宣布双方在该领域得研究中取得关键性突破。研究人员得以首次演示能够在单一芯片堆栈多层 PCM 阵列的 64Mb 测试芯片，对于随机存取非易失性存储器及存储应用而言，这些发现有助于推出容量更大、功耗更低且尺寸更小的存储装置。
