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本文主要介绍了晶圆，英特尔是为数不多拥有自己晶圆厂的企业，十年前，英特尔在半导体制程工艺是领先的，后来因为晶圆厂的研发投入太大而无力承担，反被其他晶圆厂超越。
美国布鲁克海文国家实验室的科研人员日前宣布实现了1nm工艺制造。
全球领先的高性能传感器和模拟IC供应商艾迈斯半导体(ams AG，瑞士股票交易所股票代码：AMS)今天宣布推出高性能模拟低噪声CMOS制程工艺(“A30”)。这种新型的A30制程工艺具有卓越的噪声性能，并通过光刻工艺使体积缩小至艾迈斯半导体高级0.35µm高压CMOS制程工艺系列产品的0.9倍。
全产业链的相对成熟是4G发牌时必需的考量，虽然在芯片环节还受限于多模多频的挑战，但一个显见的事实是制程工艺成熟度的提升是突破这一瓶颈的关键。从芯片角度来看，4G终端芯片将聚集在28nm制程，中芯国际的28nm技术已经成熟，能够与4G发展的要求相匹配。
随着20nm SoC已进入开发阶段，14nm、10nm甚至7nm工艺均在逐步推进中。明导公司(Mentor Graphics)董事长兼首席执行官Walden C. Rhines为大家解析14nm级以后工艺所面临的挑战，明导公司在该方面有何作为?
2013高通合作伙伴峰会在深圳举行。高通公司宣布其骁龙™200系列处理器新增六款双核及四核处理器，从而增强了高通入门级产品阵容。新增的骁龙200处理器采用28纳米制程工艺制造，支持HSPA+(数据传输速率最高达21Mbps)和TD-SCDMA。全新骁龙200系列处理器(8x10和8x12)及相应的参考设计(QRD)版本预期将于今年晚些时候面市。
美国高通技术公司将扩展骁龙™200系列处理器，新增六款双核及四核处理器，从而增强其入门级产品阵容。新增的骁龙200处理器采用28纳米制程工艺制造，集成对中国和其他新兴市场非常重要的关键调制解调器技术，包括支持HSPA+(数据传输速率最高达21Mbps)和TD-SCDMA。
作为全球最大的半导体芯片制造商英特尔，近日宣布将生产新一代的1010纳米工艺芯片。不过该公司也已经考虑10纳米芯片的生产选址，或将引入以色列生产。而随着制程工艺的降低，单个芯片上容纳的晶体管就越多，性能也会得到改善。
台北，台湾 (2012年7月23日) -- 研扬科技，工业PC机的主要生产商新近发布一款Type 6 COM Express主板: COM-CV Rev.B。基于22nm纳米制程工艺，这款产品采用最新的技术，可提供较高的CPU时钟频率和极佳的工作性能。
为了完成Ivy Bridge处理器设计，英特尔创建了一种新架构，它使用了名为“Tri-gate”的3D晶体管技术。这种多维电子元件通过更紧密的设计加强处理器的热设计功耗指标。英特尔还将这种设计技术利用到了更加高效的14纳米制程工艺中。
