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赛普拉斯半导体公司(纳斯达克股票代码：CY)日前宣布，该公司在其产品系列中整合了Ramtron International的铁电随机存取存储器(F-RAM)产品，提供了市场上最丰富的快速写入非易失性存储器容量范围选择。F-RAM是业界最低功耗的非易失性存储器，为赛普拉斯全球速度最快的非易失性静态随机存取存储器提供了有效补充。这种全新组合能够充分满足大量不同应用对于断电时保存数据的需求。赛普拉斯的n
美国亚利桑那州的Everspin科技公司昨日宣布，它们已成为世界首家MRAM(磁性随机存储器)供应商，为其选定的客户推出其自有的ST-MRAM(转矩磁阻随机存取存储器)芯片。这种非易失性存储介质据称比当前的SSD快500倍，但价格也是50倍。在性能方面，ST-MRAM的规格看起来令人印象深刻：16亿的IOPS，"高达"3.2GB/s的带宽，以及纳秒级的延迟。
上海，2012年10月16日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布，推出其V系列的又一款新产品MB85RC256V。至今为止，富士通V系列FRAM产品已经涵盖了4Kbit，16Kbit，64Kbit，256Kbit等容量。MB85RC256V是富士通首款可在2.7V-5.5V电压范围内工作的FRAM产品，为当今对元器件电压范围要求高的领域提供了设计的方便。作为全球领先的非易失性铁电随机存取存储器
世界领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation(简称Ramtron)和德国cab Produkttechnik GmbH & Co KG公布，Ramtron FM31L278 F-RAM处理器伴侣为cab最新EOS热敏标签打印机系列的用户带来卓越优势。
世界领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron) 在刚举行的硅谷Design West/嵌入式系统会议 (Silicon Valley Design West/Embedded Systems Conference) 发布新型低功耗F-RAM存储器产品，进一步加强公司帮助客户改
世界领先的低功耗铁电存储器 (F-RAM) 和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation (简称Ramtron)宣布，现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器 (F-RAM) 产品的样片。
日前，德州仪器(TI)宣布推出业界首款超低功耗铁电随机存取存储器(FRAM)16位微控制器，从而宣告可靠数据录入和射频(RF)通信能力进入了一个新时代。
日前，德州仪器(TI)宣布推出业界首款超低功耗铁电随机存取存储器 (FRAM) 16位微控制器，从而宣告可靠数据录入和射频 (RF) 通信能力进入了一个新时代。
赛普拉斯半导体公司日前宣布推出新的串行非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM），该存储器具有I2C和SPI接口，可用于仪表、工业和汽车应用。
自日本发生强烈地震后，部分电子零件如动态记忆存储芯片、闪存芯片和存贮卡价格出现上扬。3月14日，中国IC交易网显示，受地震影响，DRAM(动态随机存取存储器)现货价格当日大涨7%，NAND(快闪记忆体)市面价涨10%。不过，电子零件价格的上涨仅仅是昙花一现。3月15日，DRAM早盘现货价格回稳，主流规格DDR32Gb微涨0.23%，为2.14美元。
