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国际领先的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA 两个频段的大功率330W LDMOS，器件型号为PXAC203302FV。世强代理的该器件适用于1880-2025MHz频段，可以用于基站多载波射频功率放大器。
本文采用了SiGe BiCMOS工艺实现了集成E类功率放大器，其工作频率为1.8GHz，工作电压为1.5V，输出功率为26dBm，并具有高效率和低谐波失真的特点，适用于FM/FSK等恒包络调制信号的功率放大。
近日，德克萨斯州奥斯汀讯-射频功率市场的领导者飞思卡尔半导体 (NYSE: FSL) 日前推出一种先进的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 控制电路，专门用于优化飞思卡尔 Airfast Doherty 放大器的性能。
中国 上海，2013年5月13日 –全球领先的多厂商校准、维修及相关服务供应商---泰克公司日前宣布，其扩展了多厂商校准服务能力，在射频功率、温度及医疗校准标准上有了大幅度提升。这意味着客户可以一站式解决大多数校准要求，降低成本的同时简化了校准流程。
采用射频功率放大器驱动器的无线系统实现
近日，大功率射频 (RF) 功率晶体管的全球领导者飞思卡尔半导体公司(NYSE：FSL)日前宣布已经售出超过 1.75 亿个塑料封装的高频大功率射频功率晶体管，达到了业界难以企及的里程碑高度。
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款用于 3G 及 4G LTE 智能手机、平板电脑以及数据卡中射频功率放大器的无缝转换降压升压转换器。TI 最新 LM3269 1A 降压升压转换器可延长电池使用寿命，将流耗锐降 50%并降低放大器散热达30 摄氏度。
安捷伦科技公司日前宣布推出先进设计系统(ADS)射频和微波 EDA 平台的全新主要版本 ADS 2012。 ADS 2012 具备新的功能，提升了所支持应用的设计效率，并为 GaAs、GaN 和硅基材料射频功率放大器多芯片模块设计提供突破性技术。
IIC China展会进入第二天，恩智浦半导体高性能RF产品线RF功率及基站产品国际营销经理潘蟠，在今天上午为现场观众展示了采用LDMOS工艺的RF功率产品，是如何成为构建绿色移动通信网络的理想选择，并广泛应用于WCDMA、TD-SCDMA、GSM以及LTE等各种移动通信标准。其中面向LTE和TD-SCDMA分别推出的射频功率放大器BLFG27LS-90P和BLF7G21LS-160P效率可达 4
本届CCBN恩智浦展出的射频功率演示中，BLF888A功率放大器是能够支持470 - 860MHz完整超高频带DVB-T信号，平均输出功率120W，效率可达31%以上。21dB高增益、出色的线性度和耐用性（驻波比VSWR＞ 40:1）使BLF888A成为DVB-T等高级数字发射机应用的理想选择。
