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半导体材料即将改朝换代。$晶圆磊晶层(Epitaxy Layer)普遍采用的矽材料，在迈入10纳米技术节点后，将面临物理极限，使制程微缩效益降低，因此半导体大厂已相继投入研发更稳定、高效率的替代材料。其中，锗(Ge)和三五族(III-V)元素可有效改善电晶体通道的电子迁移率，提升芯片效能与省电效益，已被视为产业明日之星。
