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氧化锌（ZnO）压敏陶瓷作为金属氧化物避雷器的核心材料，在电力设备过电压防护领域得到广泛应用。ZnO压敏陶瓷中的各类缺陷对其非线性伏安特性、电位梯度、通流能力等性能有着重要影响，通过掺杂、晶粒尺寸控制、表面处理等手段调控缺陷结构以改善其电性能，是ZnO压敏陶瓷一直以来的研究热点。
表征MOV特性的是压敏电压、漏电流和非线性系数三参数，性能稳定性则以动态负载试验结果显示。三参数互有影响，其中电压一致性最为重要。瓷体晶粒串联电阻制约电压一致性。MOV的质量有等级之分，性能稳定性则随质量等级而变化。
两步烧结有利于获得小晶粒、高电位梯度的氧化锌压敏陶瓷，但其两步的温度分别对氧化锌压敏陶瓷烧结过程的影响尚不清楚。本文采用两步法在不同温度下烧结ZnO压敏陶瓷，分析不同温度对氧化锌陶瓷的微观结构与电学性能的影响。
氧化锌陶瓷电阻是由ZnO晶粒及其他晶粒组成的复合烧结体，无高阻晶界层。它具有线性的电压—电流特性，电阻率可调，电阻温度系数小且为正，耐浪涌能量大。本文讨论了氧化锌陶瓷电阻的性能，以及性能与配方、工艺的关系，探讨了氧化锌陶瓷电阻的微观结构和导电模型。
本文主要介绍了ESD静电二极管，ESD静电二极管是由几个TVS晶粒或二极管采用不同布局做成具有特定功能的多路或单路ESD保护器件，主要用于通信界面的ESD保护。
采用固相反应法制备了C3N4掺杂的氧化锌基压敏陶瓷。研究了C3N4掺杂对氧化锌基压敏陶瓷的相成分、显微结构、介电频谱、小电流性能和通流能力的影响。实验发现，C3N4掺杂在氧化锌晶粒长大过程中起抑制作用，随着C3N4掺杂量的提升，氧化锌基压敏陶瓷的压敏电压梯度与非线性系数一并提高。
从合肥工业大学获悉，该校首次制备出大晶粒非层状结构的硒化镍薄膜，并成功将其构筑为光探测器阵列，为新一代柔性图像传感器的研发提供了新的方法。
受到中国芯片厂于2010~2011年大举扩产影响，使得全球LED芯片厂近2年来面临产能供过于求窘况，尤其中国芯片厂主力生产的中低功率芯片产品更是呈现价格红海，而晶粒厂为突破市场困境，持续往高价值产品迈进，近期更积极拓展覆晶(flip chip)技术，以期能导入量产。
联发科在2013年第1季已进行一连串的成本降低计划，包括晶粒面积再微缩、寻求更便宜晶圆代工来源及要求封测厂降价等工作。
