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功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三个管脚，分别为栅极(Gate)，漏极(Drain)和源极(Source)。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。
来自离线开关电源开关节点的100fF电容会导致超出规范要求的EMI签名。这种电容量只需寄生元件便可轻松实现，例如对漏极连接进行路由，使其靠近输入引线。通常可通过改善间距或屏蔽来解决该问题。要想获得更大衰减，需要增加滤波或减缓电路波形。
2012年7月18日，中国上海讯 — 科锐公司(Nasdaq: CREE)宣布推出两项新型GaN工艺：0.25微米、漏极电压最高为40V的G40V4和0.4微米、漏极电压最高为50V的G50V3。新的工艺技术增加了工作电压和无线射频功率密度，与传统技术相比，能够实现更小尺寸裸芯片和更紧凑、更高效率放大器。两项新技术均与科锐业经验证的GaN单片式微波集成电路(MMIC)技术相兼容，可应用在具有全套无
随着集成电路产业的发展，硅芯片的很多层已经逼近原子级别。芯片技术未来的发展可能终将面对无法逾越的障碍。业界进行了很多改变，铝取代了铜;CMP技术被引入;高K铪氧化物取代硅氧化物作为晶体管(门)的基础;移动性的提升有赖于应力器件(电介质膜或源级/漏极区的选择性外延生长)。当然英特尔最近还宣布了Tri-Gate晶体管技术。今天先进的晶体管工艺(32nm以下)和十年前的130nm晶体管已经大为不同。
