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在目前要求高效率、高功率密度以及降低产品不良率电源产品设计的需求下，结合新式封装与极低导通电阻的功率电晶体，将有助于电源设计工程师开发更具优势亦更符合市场需求的产品。
随着氮化镓不断应用在二极管、场效电晶体等元件上，不少业内专家直言，电力电子产业即将迎来技术的大革命。
荷兰代尔夫特科技大学的研究人员开发出一种方法，用单脉冲镭射直接在衬底上将液态硅墨水打印成能用在电路中的多晶硅，且用镭射打印的薄膜电晶体比传统多晶硅导体更具有灵活机动性。
965年，英特尔公司的创始人之一摩尔根据观察提出预测，一个尺寸相同的晶片上，所容纳的电晶体数量，因製程技术的提升，每18个月会加倍，后来被称为摩尔定律。新材料可望让摩尔定律在奈米时代延续下去。
1965年，英特尔公司的创始人之一摩尔根据观察提出预测，一个尺寸相同的晶片上，所容纳的电晶体数量，因製程技术的提升，每18个月会加倍，后来被称为摩尔定律。新材料可望让摩尔定律在奈米时代延续下去。
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 7 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出带有光电晶体管输出的两个新系列4pin、低交流输入电流的光耦---VOS628A和VOS627A，扩大器光电子产品组合。这两款器件采用小尺寸SSOP-4微型扁平封装，采用两次模塑结构，比DIP-4封装节省60%以上的电路板空间，高压性
新日本无线(New JRC)最近又开发出了一款绿色LED型反射式光电传感器NJL5303R，其是将一种绿色LED (发光波长570nm)和光电晶体管组合封装的新型产品，最适合检测脉搏用的高性能医疗保健设备。
Altera的14奈米(nm)三闸极电晶体(Tri-gate Transistor)制程可望于明年启动量产。面对赛灵思(Xilinx)即将于2014年采用台积电16奈米鳍式场效电晶体(FinFET)制程，生产首批现场系统单晶片可编程闸阵列(SoC FPGA)，Altera亦不干示弱，于日前宣布将于2013年底前提供14奈米的SoC FPGA测试晶片，预计于2014年正式投产14奈米SoC FPGA
自1880年两位法国科学家J.Curie和P.Curie在研究石英晶体时发现材料的压电现象以后，在材料学界便引发了一场压电材料研究热。经过一百多年的发展，压电材料的种类已经由最初的压电晶体发展到压电陶瓷、进而发展到压电聚合物及其复合材料。随着物理学、材料科学与各个学科的交叉发展，压电材料被用以研制成了多种用途的传感器。
