第四代半导体材料是指以氧化镓（Ga2O3）和锑化物等为代表的半导体材料。它们具有一系列卓越的特性，如远超第三代半导体的带隙、超高的击穿电场、优秀的热稳定性和化学惰性等。这些特性使得第四代半导体材料在功率电子、射频电子、深紫外光电器件等领域具有广阔的应用潜力。 其中，氧化镓因其优异的性能和低成本的制造，成为目前最受关注的超宽禁带半导体材料之一。它主要用于制备功率器件、射频器件及探测器件，在轨道交通、智能电网、新能源汽车、光伏发电、5G移动通信、国防军工等领域，均具有广阔应用前景。
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