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擅长高速输入/输出领域，并且专注开发USB 2.0、USB 3.0 和PCI Express芯片的创惟科技，将在IIC China 2013上展示多项USB 3.0解决方案，包括：USB 3.0高速多媒体记忆卡读卡器控制芯片、USB 3.0外接式硬盘桥接控制芯片、USB 3.0集线器控制芯片和USB 3.0网络摄影机控制芯片等。届时，创惟科技的产品经理将为广大工程师们做产品的演示和说明，并分享最新
继4月份深圳技术研讨会的成功落幕后，SD协会(SD Association)近日宣布将于11月中在中国上海举行本年度第二场技术研讨会及互通性测试会，内容涵盖各种技术和商业领域，参加SD协会全球技术研讨会的成员将优先获得更多SD记忆卡知识以利应用于全球SD相关产品及设备，更可透过互通性测试掌握您产品与市场上众多兼容产品的互操作表现。
DRAMeXchange 统计显示，1Q11整体品牌 NAND Flash 供应商产品平均价格(ASP)较上季下跌约3%;就需求面而言 1Q11的记忆卡及UFD通路市场的需求依然疲软，但来自某些平板电脑及智慧型手机客户的OEM订单依然稳定地成长，使得1Q11整体 NAND Flash 品牌供应商的位元出货量得以较上季成长约13%，总计整体NAND Flash品牌供应商1Q11营收季成长约9.9%，
根据全球市场研究机构TrendForce旗下研究部门DRAMeXhange调查，八月份上旬NAND Flash合约价持续走稳，均价呈现部分持平与小涨的格局。买卖双方对后续价格走势意见分歧，记忆卡与随身碟业者也呈现保守的态度，故NAND Flash业者采取供货紧缩策略来因应。
半导体记忆体可区分动态内存（DRAM）以及非挥发性内存（Non-Volatile Memory）两大类别，两者差别在于当外界电力消失时，所记忆的数据，前者会消失，而后者则是保存。DRAM一直是半导体技术进步的主要动力，人类为了追求高密度的内存，因此不断的将组件尺寸缩小，导致半导体制程技术的不断精进。近年来手机的流行，搭配数字相机价格的大众化，导致记忆卡的需求大幅上升，而非挥发性内存的需求量也逐年攀
包括三星、LG、诺基亚等手机大厂第四季将上市销售的手机，已将MicroSD等NAND记忆卡列为标准内建配备，加上消费者扩充手机记忆卡的需求也明显转强，带动第四季记忆卡销售量大增。力成董事长蔡笃恭表示，MicroSD记忆卡封测产能吃紧现象将延续到明年1、2月。
2009年NAND Flash缺货缺翻天，三星电子(Samsung Electronics)在享有最大获利之余，不但对饱受缺货之苦的存储器模块厂袖手旁观，还要推出「SAMSUNG」自有品牌记忆卡产品来抢食客户饭碗，到底葫芦里是卖什么药？
香港计算机节：记忆卡售罄 展商料生意创新高
三星一声令下供给锐减 记忆卡价格全面起涨
