金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor,简称MOS)是一种广泛应用于集成电路中的半导体材料,具有高绝缘性和可变电容等特性,被广泛用于制造各种晶体管和其他电子元件。 MOS的物理结构特殊,通常由金属、有机物、氧化物和晶体硅组成,当主要元素是金属氧化物时,该结构的性能会更好。大多数MOS都是三层结构,上、中、下三层分别由金属、有机物和氧化物组成。它具有良好的电气性能,以及抗频率、噪声和静电波扰的能力,同时具有良好的化学稳定性。
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氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题,因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中, GaN 能够提高功率密度和效率,因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。
JESD204接口可提供这种高效率,较之其前代互补金属氧化物半导体(CMOS)和低压差分信号(LVDS)产品在速度、尺寸和成本方面更有优势。
功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)有三个管脚,分别为栅极(Gate),漏极(Drain)和源极(Source)。功率MOSFET为电压型控制器件,驱动电路简单,驱动的功率小,而且开关速度快,具有高的工作频率。
人们对更小巧、更高效CPU的青睐,促使互补式金属氧化物半导体(CMOS)的制造工艺达到了纳米级。但这些精良制造工艺涉及的电源缩放和器件漏电等问题给精密模拟电路带来了不利影响,致使研究人员需要开发可以实现传统模拟密集型功能的高度数字化替代性架构。
应用材料公司在Applied Centura® RP Epi系统设备上新开发了一套NMOS晶体管应用技术,继续保持其在外延技术方面十年来的领先地位。该应用技术的开发符合行业在20纳米节点时将外延沉积从PMOS(P型金属氧化物半导体)向NMOS(N型金属氧化物半导体)晶体管延伸的趋势,推动芯片制造商打造出更快的终端,提供下一代移动计算能力。
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 为旗下强化了的74HC、74HCT、74AHC及74AHCT CMOS (互补金属氧化物半导体) 逻辑系列,新增标准的移位寄存器及译码器逻辑集成电路。
东芝公司(Toshiba Corporation)今天宣布,该公司已经推出了用于继电器驱动器的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)"SSM3K337R"。这款新设备使用一种有源箝位结构,可以预防继电器电感负载关闭时的过电压。该产品的样品已经推出,并定于9月开始批量生产。
发光二极管(LED)驱动积体电路(IC)架构掀革新。LED驱动IC商已开始部署高功率LED驱动IC方案,将金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)独立于LED驱动IC封装外,以因应商业照明市场日益高涨的高瓦数照明需求。
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出单门逻辑器件系列,有助于各种便携式消费电子产品节省用电及空间,包括手机、电子书阅读器与平板电脑。74AUP1G系列逻辑器件采用3V的先进超低功率CMOS (互补式金属氧化物半导体) 制程,其引脚与业界的标准器件兼容,还提供超薄的微型DFN封装。
安森美半导体推出新的互补型金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器,提供切合指纹识别及种种医疗设备设计等日益增多的高端生物测定应用需求所要求的速度、分辨率及信噪比(SNR)性能。