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茂矽电子与富鼎先进将合作开发电动车(EV)高功率绝缘闸双极型电晶体(Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT)元件。茂矽电子与富鼎先进联合申请的「绿能车用高功率IGBT元件技术开发计画」日前获经济部「业界科专计画」审议通过，未来茂矽电子、富鼎先进将与工研院电光所进一步合作，透过雷射煺火(Laser Anneal)製程开发适用于电动车的高功率IGBT，防堵中国大
