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本文采用了SiGe BiCMOS工艺实现了集成E类功率放大器，其工作频率为1.8GHz，工作电压为1.5V，输出功率为26dBm，并具有高效率和低谐波失真的特点，适用于FM/FSK等恒包络调制信号的功率放大。
据国外媒体报道，高通今天宣布，该公司已经同中芯国际达成一份战略协议。根据协议，中芯国际将在其天津工厂采用BiCMOS处理技术，为高通提供集成电路(IC)生产服务。
富士通的MB86060是一个高性能的12位，400 msa / s数模转换器(DAC)增强与一个16位的插值滤波前端。使用新型技术转换器结构提供了高速操作符合BiCMOS或双极设备但是在低功率的CMOS。
2012年11月13日，德国慕尼黑(2012年国际电子元器件博览会)讯-飞思卡尔半导体 [NYSE: FSL) 日前面向自适应巡航控制等主动安全应用，推出了新款Xtrinsic PRDTX11101 汽车雷达发射器。这是业界首款77 GHz硅锗(SiGe)BiCMOS发射器，具有集成压控振荡器(VCO)和功率放大器，提供更高的控制，降低了系统设计的复杂性和成本。
PRDTX11101汽车雷达发射器提高逻辑和功率放大器集成度业界首款针对汽车雷达传感器的基于SiGe BiCMOS技术的77 GHz VCO+Tx ，提高了逻辑和功率放大器集成度飞思卡尔半导体 [NYSE: FSL) 日前面向自适应巡航控制等主动安全应用，推出了新款Xtrinsic PRDTX11101 汽车雷达发射器。这是业界首款77 GHz硅锗(SiGe)BiCMOS发射器，具有集成压控振荡器
该Fab将耗资4亿美元，预计每月投产3000片，此前的0.18微米生产线将主要专注于电源管理类、双极类以及BiCMOS类芯片，而新Fab将主要用来生产RFD、智能卡以及工业级芯片。
Maxim在2011年移动通信世界大会上展示了带有独特的自适应增益设置电路的数字环境光传感器(ALS) IC MAX44007/MAX44009。这两款IC采用公司专有的BiCMOS技术设计，在2mm x 2mm x 0.6mm微型封装内集成了两个光传感器、一个ADC和所有必备的数字功能。这种集成特性能够在提供业内最佳性能的同时，节省宝贵的电路板空间。
最近在低压硅锗和 BiCMOS 工艺技术领域的进步已经允许设计和生产速度非常高的放大器了。因为这些工艺技术是低压的，所以大多数放大器的设计都纳入了差分输入和输出，以恢复并最大限度地提高总的输出信号摆幅。因为很多低压应用是单端的，那么问题就出现了，“我怎样才能在一个单端应用中使用差分 I/O 放大器？”以及“这么使用可能产生什么结果？”本文探讨一些实际产生的结果，并展示一些具体和使用 3GHz 增益
Maxim推出36V、低失真、低噪声、高精度运算放大器MAX9632/MAX9633。作为Maxim高压、高精度运算放大器产品线的首批器件，MAX9632/MAX9633采用专有的高速互补BiCMOS工艺(CB5HV)设计。这种高压模拟工艺经过优化，可提供优异的交流动态性能、超低噪声、较宽的工作电压范围和低漂移信号调理特性。MAX9632/MAX9633目标应用为在低频率时需要精确信号调理的工业数
Maxim推出完全集成的1200MHz至2000MHz、双通道下变频混频器MAX19994A，器件带有片内LO开关、缓冲器和分离器。器件采用Maxim专有的单片SiGe BiCMOS工艺设计，具有无与伦比的线性度和噪声性能，以及极高的元件集成度。
