MOCVD是在气相外延生长(VPE)的基础上发展起来的一种新型气相外延生长技术。 MOCVD是以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有机化合物和V、Ⅵ族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种Ⅲ-V主族、Ⅱ-Ⅵ副族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材料。
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中科重仪半导体科技有限公司(简称“中科重仪”)作为第三代半导体氮化镓(GaN)材料生产与技术应用的国家级高新技术企业,将携多款MOCVD设备及氮化镓外延片产品亮相此次展会。
从事LED产业外延——芯片制造的企业,对爱思强和维易科(VEECO)两家MOCVD设备制造商是“爱恨交织”。这两家分别来自德国、美国的供应商长期把持了MOCVD(芯片制造)市场90%以上的份额。
受到上半年全球LED照明市场需求带动,中国大陆主要芯片厂商MOCVD机台利用率呈现回升趋势。芯片价格今年以来也趋于稳定,但随着各家芯片厂商产能重新开出,下半年LED芯片价格是否松动仍有待观察,但长期而言仍得靠中国大陆的无效产能退出才会有助于LED产业回复供需平衡。
根据全球市场研究机构TrendForce旗下绿能事业处LEDinside调查显示,从去年8月份起,两岸已经发生过至少5起LED芯片产业整合案例,包括晶电通过股权转让方式收购广镓剩余49%股权,三安光电认购璨圆光电1.2 亿股普通股。
日前,极特先进科技公司(GT Advanced Technologies)(NASDAQ:GTAT)与Soitec(NYSE Euronext:SOI)今日宣布了一项开发及许可协议,根据该协议,GT将开发、生产和商业化大容量多晶圆HVPE系统。这一HVPE系统将用于生产LED或其他高增长行业(例如电力电子行业)所用衬底的优质GaN外延薄膜。与传统的金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺相比,HVP
上海2013年3月14日电 /美通社/ -- 在下周即将举行的 SEMICON China 展会期间,中微半导体设备(上海)有限公司(以下简称“中微”)将正式发布多反应器金属有机化合物气相沉积设备(MOCVD),并首次进入半导体照明市场。Prismo D-Blue™ MOCVD 设备可以实现复杂的氮化镓、铟镓氮、铝镓氮超薄层结构的大批量生产,这些超薄层结构对于高亮度 LED 是必需的。
据了解,高盛分析师Brian Lee 24日以投资人太过乐观为由,将LED用有机金属化学汽相沉积系统( MOCVD )设备供应商威科仪器( Veeco Instruments Inc.)的投资评等由「中立」调降至「卖出」,目标价则由原本的30美元下修至27美元。
2012年,LED产业正遭受前所未有的严峻考验。一方面是投资过热带来严重后果:2009年到2010年,LED业的投资出现了大量跟风和非理性的现象。特别是LED上游,近两年MOCVD装机量、投产量对比2008年前增长超过10倍。产能的不对称增长造成行业利润水平急剧下降,而且到目前为止还看不到止滑的趋势。另一方面是在市场重压下,不成熟的资本市场推波助澜,造就了一批整体难言优质的LED上市企业。
LED TV及LED Monitor需求强劲,MOCVD机台交期又趋缓下,上游芯片可能到2011年都缺货。
本土LED相关企业在市场及政策双重诱因的刺激下,接连增加LED芯片生产的投资,除三安光电、士兰明芯、乾照光电、上海蓝光、真明丽、晶能光电等原本即经营LED芯片生产的厂商进行扩产外,也有如德豪润达及清华同方等新加入LED生产的业者。