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ZXGD3005E6透过分开的源、汇输出来独立控制升降时间,让设计人员实现所需的开关特性。器件的供应电压范围宽至25V,可全面强化目标MOSFET或IGBT,一方面把导通损耗减至最低,一方面又容许+15V至-5V的闸驱动电压,避免误触IGBT。