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Fairchild发布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

2016-09-22 09:46:55 来源:半导体器件应用网

【大比特导读】加利福尼亚桑尼维尔– 2016 年 9月 21日 — Fairchild,现在是安森美半导体的一部分,今天推出了其SuperFET® III系列,用于650V N沟道MOSFET,这是该公司新一代的MOSFET,可满足最新的通信、服务器、电动车(EV)充电器和太阳能产品的更高功率密度、系统效率和优越的可靠性要求。

更佳的效率、EMI和坚固性使SuperFET III MOSFET

成为具有严苛坚固性和可靠性要求的高性能产品的理想之选

加利福尼亚桑尼维尔– 2016 年 9月 21日 — Fairchild,现在是安森美半导体的一部分,今天推出了其SuperFET® III系列,用于650V N沟道MOSFET,这是该公司新一代的MOSFET,可满足最新的通信、服务器、电动车(EV)充电器和太阳能产品的更高功率密度、系统效率和优越的可靠性要求。

Fairchild发布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和优异热性能,是高性能应用的理想之选。一流性能之外,该系列还提供了广泛的封装选择,赋予了产品设计者更大的灵活性,特别是对于尺寸受限的设计。

Fairchild高功率工业事业部副总裁兼总经理赵进表示:「无论我们的客户身处何种行业,他们都始终追求大幅提高其每一代新产品的效率、性能和可靠性,同时努力加快新产品上市的步伐。在设计新型SuperFET III MOSFET以帮助客户实现其关键产品目标的同时,我们还确保这些器件能够降低BOM成本、减小电路板空间并简化产品设计。」

SuperFET III技术具有所有便捷驱动型超结 MOSFET的最低Rdson,因此具有一流效率。这要归功于先进的电荷平衡技术,与其前代SuperFET II产品相比,在同样的封装尺寸内,该技术将Rdson降低了44%。

实现SuperFET III系列优异坚固性和可靠性的关键因素是其一流的体二极管以及比最接近的竞争产品高两倍的单脉冲雪崩能量(EAS)性能。

650V SuperFET III系列在关闭期间的峰值漏极-源极电压更低,改善了系统在低温运行条件下的可靠性,因为与室温下相比,-25℃结温时击穿电压自然降低了5%,而且低温下的峰值漏极-源极电压变得更高。

这些可靠性优势对于各种工业应用特别重要,例如光伏逆变器、不间断电源(UPS)和EV充电器,因为它们必须能够承受更高或者更低的环境温度。SuperFET III MOSFET系列于今日发布上市,具有多种封装和参数选择:

器件编号 RDS(on) (最大)(mΩ) @ VGS=10V Qg (典型)(nC) 
@ VGS=10V
封装
FCH023N65S3L4 23 222 TO-247 4L
FCH023N65S3 23 222 TO-247 3L
FCH067N65S3 67 78 TO-247 3L
FCP067N65S3 67 78 TO-220 3L
FCPF067N65S3 67 78 TO-220F 3L
FCB070N65S3 70 78 TO-263 2L     
(D2-PAK)

关于Fairchild:

Fairchild一直是半导体行业的先驱者,秉承开拓精神至今,致力于让世界变得更洁净、更美好。我们专注于开发制造从低功率到高功率解决方案的完整产品组合,为移动、工业、云、汽车、照明和计算行业的系统构建工程师和系统架构师提供最佳的设计体验。我们基于的是这一指导原则:敬业的员工和满意的客户是公司发展密不可分的一部分,同时鼓励员工追求简洁和挑战、探索和娱乐、卓越和尊重,并拥有果断的执行力和直面问题的勇气。如果您正使用智能手机或者驾驶汽车,使用现代化的家用电器或者在舒适的建筑中工作和生活,甚至观看电影动画,那么您就感受到了Fairchild的力量-“Power to Amaze”。

本文由大比特资讯收集整理(www.big-bit.com)

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    商品防窃监视器(Electronic Article Surveillance)简称EAS,是目前超市普遍使用的安检防窃设备。其原理是由发射电路产生7.8MHz~8.8MHz的扫频信号,该信号由近场天线发射,当天线附近有标签存在时(标签为高Q值的LC振荡回路,谐振中心频率为7.8MHz),标签发出谐振电磁波信号,该信号被EAS接收天线接收,经解调、放大和数字化处理后,最终发出报警信息。

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