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快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力

2017-09-11 09:40:43 来源:半导体器件应用网 作者:ADI供稿

【大比特导读】加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA) – 2017 年9月7日 – 亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器LTC7004,该器件用高达 60V 的电源电压运行。

加利福尼亚州米尔皮塔斯 (MILPITAS, CA) 和马萨诸塞州诺伍德 (NORWOOD, MA) – 2017 年9月7日 – 亚德诺半导体 (Analog Devices, Inc.,简称 ADI) 旗下凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器LTC7004,该器件用高达 60V 的电源电压运行。其内部充电泵全面增强了外部 N 沟道 MOSFET 开关,从而使该器件能够保持接通时间无限长。LTC7004 强大的1Ω栅极驱动器能够以非常短的转换时间和 35ns 传播延迟,容易地驱动栅极电容很大的 MOSFET,非常适合高频开关和静态开关应用。

LTC7004 可用来接收以地为基准的低压数字输入信号,并快速驱动一个漏极可以在 0V 至 60V (65V 绝对最大值) 的高压侧 N 沟道功率 MOSFET。LTC7004 在 3.5V 至 15V 驱动器偏置电源范围内运行,具可调欠压闭锁。当驱动 1000pF 负载时,很短的 13ns 上升和下降时间最大限度降低了开关损耗。其他特点包括可调接通转换率和可调过压闭锁。

LTC7004 采用 MSOP-10 封装,具有针对高压间隔配置的引脚。该器件有 3 种工作结温范围,扩展和工业级版本的范围为–40°C 至 125°C,高温汽车级版本的范围为–40°C 至 150°C,军用级的范围为–55°C 至 125°C。千片批量的起始价为每片2.05美元。

快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 驱动器 提供 100% 占空比能力

照片说明:快速 60V 高压侧 N 沟道 MOSFET 静态开关驱动器

性能概要:LTC7004

· 宽 VIN工作范围:0V 至 60V (65V 绝对最大值)

· 内部充电泵提供100% 占空比能力

· 1Ω 下拉、2.2Ω 上拉电阻实现很短的接通和断开时间

· 很短的 35ns 传播延迟

· 可调的接通转换率

· 3.5V 至 15V 栅极驱动器电源

· 可调驱动器电源VCC欠压闭锁

· 可调VIN过压闭锁

· CMOS 兼容输入

本文由大比特资讯收集整理(www.big-bit.com)

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