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安森美超高电源抑制比(PSRR) LDO稳压器用于要求严苛的应用

2018-06-05 15:14:00 来源:半导体器件应用网

【大比特导读】推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor) 发布了一系列新的超低噪声低压降稳压器(LDO),具有业界最佳的电源抑制比(PSRR),能在噪声敏感的模拟设计中实现更好的性能。

推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor) 发布了一系列新的超低噪声低压降稳压器(LDO),具有业界最佳的电源抑制比(PSRR),能在噪声敏感的模拟设计中实现更好的性能。新的NCP16x系列,连同其汽车变体器件同时符合AEC-Q100车规的NCV81x,在各类应用中提供更好的性能,如汽车先进驾驶辅助系统(ADAS)图像传感器模块、便携式设备和包括802.11ad WiGig、蓝牙和WLAN的无线应用。

安森美超高电源抑制比(PSRR) LDO稳压器用于要求严苛的应用

安森美超高电源抑制比(PSRR) LDO稳压器用于要求严苛的应用

NCP16x系列包括四个输入电压范围从1.9到5.5伏特(V)的器件以支持各种不同的终端应用。输出电流250毫安(mA)、450 mA和700 mA,采用相同封装,使设计易于扩展。98分贝(dB)的超高PSRR阻止不想要的电源噪声到达敏感的模拟电路,而6.5微伏(uV)均方根的超低噪声无需额外的输出电容。

新的LDO稳压器具有80毫伏(mV)的低压降,支持和帮助延长电池供电的终端产品的使用寿命。空载静态电流仅为12微安培(uA),进一步增强此特性。这些器件可提供1.2 V至5.3 V的固定输出电压,在整个应用范围内的精确度为+/-2%。仅1 uF的输入输出电容实现稳定的工作,能降低系统成本和体积。

新器件系列采用了一种新的专利架构来实现超高的PSRR性能,并扩展了安森美半导体在这一领域的领先地位,在宽频率范围(10 kHz至100 kHz)提供高PSRR对于终端应用性能非常重要。例如,在ADAS相机的图像传感器应用中,NCV8163通过滤除电源噪声来改善图像质量,避免电源噪声损坏施加到像素的电压信号。在无线应用中,如WiGig 802.11ad,NCP167既具备超高PSRR又有超低噪声,确保系统的每比特供电能效能通过提供干净的电源来实现。

安森美半导体高级产品业务总监 Tim Kaske说:“这一系列新的超低噪音LDO大大提高了PSRR,比一些传统的LDO高 30 dB。我们的客户对他们能够以这个新产品系列达到的新的性能水平感到兴奋。LDO仍然是低电流应用的最佳方案,其小体积和现在更高的PSRR性能水平及低噪声,是噪声敏感的射频(RF)和图像传感器应用的理想电源管理方案。例如,我们有越来越多的图像传感器参考设计使用这一新的LDO系列。安森美半导体提供的整个系统级应用使工程师能够迅速实施当今市场上最高图像质量的传感器方案。”

NCP16x采用TSOP-5、XDFN-4和WLCSP-4封装。其汽车变体器件NCV816x采用TSOP-5和XDFN-4封装。所有器件均适用于现代高密度设计。

本文由大比特资讯收集整理(www.big-bit.com)

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