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英飞凌氮化镓解决方案投入量产

2018-11-15 14:45:59 来源:半导体器件应用网

【大比特导读】英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)携氮化镓(GaN)解决方案CoolGaN™ 600 V增强型HEMT和氮化镓开关管专用驱动IC(GaN EiceDRIVER™ IC),精彩亮相2018年德国慕尼黑电子展。

2018年11月13日,德国慕尼黑讯—英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)携氮化镓(GaN)解决方案CoolGaN™ 600 V增强型HEMT和氮化镓开关管专用驱动IC(GaN EiceDRIVER™ IC),精彩亮相2018年德国慕尼黑电子展。英飞凌展示了其产品的优越性:它们具备更高功率密度,可实现更加小巧、轻便的设计,从而降低系统总成本和运行成本,以及减少资本支出。随着CoolGaN 600 V增强型HEMT和GaN EiceDRIVER栅极驱动IC的推出,目前,英飞凌是市场上唯一一家提供涵盖硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的全系列功率产品的公司。

CoolGaN 600 V增强型HEMT:

最新发布的CoolGaN 600 V增强型HEMT采用可靠的常闭概念,它经专门优化,可实现快速开通和关断。它们可在开关模式电源(SMPS)中实现高能效和高功率密度,其优值系数(FOM)在当前市场上的所有600 V器件中首屈一指。CoolGaN开关的栅极电荷极低,且具有极少输出电容,可在反向导通状态下提供优异的动态性能,进而大幅提高工作频率,从而通过缩小被动元器件的总体尺寸,提高功率密度。 英飞凌CoolGaN 600 V增强型HEMT在功率因数校正(PFC)变流器里具有超高的能效(2.5 kW PFC能效 > 99.3%)。相同能效下的功率密度可达到160 W / in3(3.6 kW LLC能效 > 98%)。在谐振拓扑中,CoolGaN线性输出电容可将死区时间缩短至八分之一到十分之一。

放眼市场,CoolGaN拥有行业领先的可靠性。在质量控制过程中,我们不仅对器件本身进行全面测试,而且对其在应用环境中的性能进行全面测试。这确保了CoolGaN开关满足甚至优于最高质量标准。

CoolGaN 600 V增强型HEMT可提供70 mΩ和190 mΩ的SMD封装,确保杰出的散热性能和低寄生效应。通过提供全系列SMD封装产品,英飞凌旨在支持高频运行的应用,如企业级超大规模数据中心服务器、通信整流器、适配器、充电器、SMPS和无线充电设施等。

氮化镓开关管专用驱动IC(GaN EiceDRIVER IC):

英飞凌新推出的氮化镓开关管驱动芯片EiceDRIVER IC——1EDF5673K、1EDF5673F和1EDS5663H——是CoolGaN增强型HEMT的完美搭档。它们经专门研发,以确保CoolGaN开关实现强健且高效的运行,同时最大限度地减少工程师研发工作量,加快将产品推向市场。

不同于传统功率MOSFET的栅极驱动IC,这个针对英飞凌CoolGaN量身定制的栅极驱动IC可提供负输出电压,以快速关断氮化镓开关。在开关应处于关闭状态的整个持续时间内,GaN EiceDRIVER IC可以使栅极电压稳定保持为零。这可保护氮化镓开关不受噪音导致误接通的影响,哪怕是首脉冲,这对于SMPS实现强健运行至关重要。氮化镓栅极驱动IC可实现恒定的GaN HEMT开关转换速率,几乎不受工作循环或开关速度影响。这可确保运行稳健性和很高能效,大大缩短研发周期。它集成了电隔离,可在硬开关和软开关应用中实现强健运行。它还可在SMPS一次侧和二次侧之间提供保护,并可根据需要在功率级与逻辑级之间提供保护。

GaN EiceDRIVER 1EDF5673K采用13引脚LGA 5x5 mm封装,1EDF5673F采用16引脚DSO 150 mil封装,1EDS5663H采用16引脚DSO 300 mil封装。

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