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贸泽开售Infineon CoolGaN HEMT 支持紧凑型系统设计中的高效快速开关

2019-02-21 11:16:25 来源:半导体器件应用网

【大比特导读】2019年2月20日 – 专注于引入新品并提供海量库存的半导体与电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Infineon Technologies的CoolGaN™ 氮化镓 (GaN) HEMT。CoolGaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 提供高效率和高功率密度,帮助实现半导体电源的快速开关。

2019年2月20日 – 专注于引入新品并提供海量库存的半导体与电子元器件分销商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起备货Infineon Technologies的CoolGaN™ 氮化镓 (GaN) HEMT。CoolGaN 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 提供高效率和高功率密度,帮助实现半导体电源的快速开关。CoolGan HEMT同时适合硬开关和软开关拓扑,是无线充电、开关模式电源 (SMPS)、电信、超大规模数据中心和服务器等应用的理想选择。

与硅开关器件相比,贸泽电子供应的Infineon CoolGaN HEMT品质更为出众。相较于硅晶体管,CoolGaN HEMT的输出电容与栅极电荷只是其十分之一,但击穿场强却是其十倍,移动性能是其两倍。CoolGaN HEMT经专门优化,可实现快速开通和关断,采用新拓扑和电流调制技术打造出了创新型开关解决方案。HEMT的表面贴装封装可保证开关功能完全可用,而其紧凑型设计使其适合各种空间受限的应用。

Infineon CoolGaN氮化镓HEMT受EVAL_1EDF_G1_HB_GAN和EVAL_2500W_PFC_G评估平台的支持。EVAL_1EDF_G1_HB_GAN电路板配备CoolGaN 600 V HEMT和Infineon GaN EiceDRIVER™ 栅极驱动IC,可帮助工程师评估转换器和逆变器应用的通用半桥拓扑的高频GaN功能。EVAL_2500W_PFC_G电路板内含CoolGaN 600V e-mode HEMT、CoolMOS™ C7 Gold超结MOSFET和EiceDRIVER栅极驱动IC,提供2.5 kW全桥功率因数校正 (PFC) 评估工具,对于SMPS和通信整流器之类对能耗比较看重的应用,可将其系统效率提升到99%以上。

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