大比特资讯旗下:
智能照明 智能家电 AI+IOT与智能家居 电机驱动与控制 快充与无线充 电驱动与BMS 锂电保护与BLDC 智能四表 汽车照明
广告
广告
您的位置: 半导体器件应用网 >>行业要闻 >> 行业新闻 >> 全球晶圆厂支出2019年将下滑,但2020年会再创新高

全球晶圆厂支出2019年将下滑,但2020年会再创新高

2019-03-15 09:51:11 来源:SEMI

【大比特导读】根据SEMI行业研究与统计团队发布的2019年第一季度世界晶圆厂预测报告,2019年全球晶圆厂设备支出预计将下降14%(530亿美元),但2020年将强劲复苏27%(670亿美元),创下新纪录。受memory行业放缓的刺激,2019年的低迷标志着晶圆厂设备支出三年持续增长告一段落。

根据SEMI行业研究与统计团队发布的2019年第一季度世界晶圆厂预测报告,2019年全球晶圆厂设备支出预计将下降14%(530亿美元),但2020年将强劲复苏27%(670亿美元),创下新纪录。受memory行业放缓的刺激,2019年的低迷标志着晶圆厂设备支出三年持续增长告一段落。

在过去两年中,memory占所有设备的55%的年度份额,这一比例预计将在2019年降至45%,但在2020年反弹至55%。memory占总支出的一大部分,memory市场的任何波动都会影响整体设备支出。图1显示了从2018年下半年开始的每半年的历史和预测。

晶圆

Memory支出下滑

对半年晶圆厂设备支出的回顾表明,高水平库存和需求疲软导致2018年下半年DRAMNAND(3DNAND)的跌幅大于预期,导致Memory支出下降14%。预计下降趋势将持续到2019年上半年,Memory支出下降36%,但可能在下半年反弹35%。

尽管在2019年下半年将反弹,但该报告指出,在2018年创下历史新高后,今年内存总支出下降了30%。

Foundry支出2019年下半年将下降

Foundry是Fab设备支出的第二大影响因素。在过去两年中,每年的份额在25%到30%左右。在2019年和2020年,我们预计年度份额将稳定在30%左右。

虽然Foundry通常在Fab设备支出方面的波动小于memory,但它们并不能免受市场变化的影响。例如,在memory下降之后,2018年下半年Foundry设备支出从上半年开始下降了13%。

本文由大比特资讯收集整理(www.big-bit.com)

  • 赞一个(
    0
    )
  • 踩一下(
    0
    )
分享到:
阅读延展
memory DRAM NAND
  • 日韩贸易战开打,爆NAND与DRAM双涨效应

    日韩贸易战开打,爆NAND与DRAM双涨效应

    日本管制三大电子业关键耗材输韩,全球内存龙头三星高层紧急赴日交涉之余,传内部启动紧急应变计划,将把库存耗材优先用于获利主轴的DRAM生产,缩减目前缺乏获利动能的NANDFlash投片,减产幅度逾二成,台湾旺宏、华邦、群联等NAND族群将享有低价库存涨价利益。

  • 三星预计Q2财报同比大跌56%,后续市场变化引关注!

    三星预计Q2财报同比大跌56%,后续市场变化引关注!

    在全球半导体市场低迷,NAND Flash和DRAM跌价,以及贸易紧张关系升温的影响下,2019年三星经历Q1营业利润同比下滑60.2%之后,Q2营业利润同比再度下滑56%。

  • 美光延迟日本广岛新厂投资计划

    美光延迟日本广岛新厂投资计划

    据了解,美光位于日本广岛的DRAM工厂(Fab15)采用的是最先进制程技术。其中,该厂最新的生产厂房B栋已于本月初落成启用,其无尘室的面积较原先扩大了10%。美光还计划进行新一代DRAM的生产,以缩小与DRAM产业龙头三星的差距。

  • DRAM颗粒6月现货价逼近生产成本 跌势趋缓讯号浮现

    DRAM颗粒6月现货价逼近生产成本 跌势趋缓讯号浮现

    DRAM价格第2季大幅走跌,根据供应链透露,6月起DRAM颗粒现货价格再度走跌,主流交易规格的8Gb颗粒正式跌破3美元关卡。

  • Intel、三星与美光的次世代存储器,可望在明年打入市场

    Intel、三星与美光的次世代存储器,可望在明年打入市场

    不论是DRAM或NAND Flash,现有的存储器解决方案都面临着制程持续微缩的物理极限,这意味着要持续提升性能与降低成本都将更加困难。

  • 2019年Q2 海力士将生产第二代10nm工艺内存

    2019年Q2 海力士将生产第二代10nm工艺内存

    近日SK海力士透露,公司将增加其第一代10纳米级制造工艺(即1Xnm)的DRAM产量,并将在下半年开始销售其制造的第二代10纳米级制造技术(又名1Ynm)的内存。加速向10纳米级技术的过渡将使该公司增加DRAM输出,最终降低成本,并为下一代内存做准备。

微信

第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“大比特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得大比特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!

发表评论

  • 最新评论
  • 广告
  • 广告
  • 广告
广告
Copyright Big-Bit © 1999-2016 All Right Reserved 大比特资讯公司 版权所有      未经本网站书面特别授权,请勿转载或建立影像,违者依法追究相关法律责任