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我国存储芯片达国际领先水平,中国制造再铸辉煌
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我国存储芯片达国际领先水平,中国制造再铸辉煌

2020-05-06 14:29:47 来源:柏铭 电子发烧友

【大比特导读】目前长江存储已开发出128层的NAND flash存储芯片,不断努力推进存储芯片的研发和生产,改变依赖国外的格局,值得一提的是,仅仅数年时间就接近国际先进水平,对于中国制造业来说无疑是非常重大的技术进展。

据媒体报道指国产存储芯片企业长江存储已开发出128层的NAND flash存储芯片,这是当前国际存储芯片企业正在投产的NAND flash技术,意味着中国的存储芯片技术已达到国际领先水平。

中国是全球最大的制造国,制造了全球超过七成的手机,其他PC、平板电脑等电子产品也有很大比例在中国生产,因此中国对芯片的需求极大,据悉中国采购的芯片占全球芯片市场的份额超过五成,采购的芯片金额甚至超过石油。

存储芯片正中国进口的主要芯片之一,估计中国采购的存储芯片占全球存储芯片的比例超过五分之一。然而在2019年以前,中国几乎没有生产存储芯片,全球的存储芯片主要由韩国、日本、美国生产,中国对全球存储芯片的依赖性非常高。

为改变这一局面,中国努力推进存储芯片的研发和生产,2018年长江存储生产出第一代NAND flash存储芯片,2019年合肥长鑫生产出DDR内存芯片,中国终于在存储芯片行业迈出了第一步。

图片来源网络

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长江存储虽然在2018年开始投产NAND flash存储芯片,然而其时它生产的NAND flash存储芯片仅是32层,而当时全球主流的NAND flash存储芯片技术为64层,长江存储也认识到自己在技术上的落后,因此32层NAND flash存储芯片并没有大规模生产,而仅为锤炼生产技术,并提升研发人员的技术水平。

2019年长江存储研发出64层NAND flash存储芯片,追上了全球NAND flash存储芯片的主流技术水平,它开始大规模投产NAND flash存储芯片。此时中国才真正实现了部分NAND flash存储芯片的自给,不过其时由于长江存储才开始规模化生产,国内市场的NAND flash存储芯片还是主要由国外供应。

目前长江存储研发出128层NAND flash,预计该项技术的NAND flash存储芯片将很快投入量产,而目前海外存储芯片也正在推进128层NAND flash存储芯片的量产,这意味着中国的NAND flash存储芯片在技术上已接近国际领先水平。

推动长江存储快速提升NAND flash存储芯片技术离不开国内企业的支持,其中就包括华为。2019年华为被美国列入实体清单,美国存储芯片企业美光与华为的合作受阻,华为迅速与长江存储合作研发NAND flash存储芯片,早在数年前华为就已研发SSD控制芯片,在存储芯片技术上有一定积累,而且它是全球第二大手机企业、前五大服务器厂商,对NAND flash存储芯片有很大的需求,华为的支持也加快了长江存储研发更先进的NAND flash存储芯片技术的脚步。

中国自改革开放以来主要是依靠来料加工的方式发展经济,直到2007年之前加工贸易占中国贸易的比例还超过五成,自那之后加工贸易占中国贸易的比例逐渐下降至近年的三成左右,机电、通信等高技术产品占中国出口的比例逐渐提升,凸显出中国制造正逐渐往高端制造业爬升。

中国在NAND flash存储芯片技术上仅仅数年时间就接近国际先进水平,对于中国制造业来说无疑是非常重大的技术进展,代表着中国制造在数十年的努力下终于形成高度完善的产业链,拥有了深厚的技术积累,厚积薄发,迅速突破,代表着中国制造向中国创造转变再上层楼。
 

 

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