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  • MRAM技术新突破!台湾清大团队发表新磁性翻转技术

    MRAM技术新突破!台湾清大团队发表新磁性翻转技术 MRAM 三星 存储器2019-03-15 全球各半导体大厂如三星、东芝、英特尔等摩拳擦掌竞相投入磁阻式随机存取存储器(MRAM),准备在后摩尔定律世代一较高下。台湾清华大学研究团队最新发表以自旋流操控铁磁-反铁磁纳米膜层的磁性翻转,研究成果已于今年2月19日刊登于材料领域顶尖期刊《自然材料》(NatureMaterials)。

  • ATP自造8Gb DDR3内存颗粒:将持续供应

    ATP自造8Gb DDR3内存颗粒:将持续供应 DDR4 ATP2019-03-15 随着整个行业已经全面转向DDR4内存,不少厂商都陆续停产了DDR3,并准备好了迎接DDR5,但对于很多特殊用户,尤其是网络和嵌入式领域,仍然对DDR3有着强劲且持续的需求。

  • 赛普拉斯和SK海力士新设合资企业:负责SLC NAND业务

    赛普拉斯和SK海力士新设合资企业:负责SLC NAND业务 SK海力士 NAND 赛普拉斯2019-03-14 赛普拉斯(Cypress)和SK海力士新成立了一家名为SkyHighMemoryLimited的合资公司,目前已获得反垄断监管部门的批准。新公司预计将于2019年4月1日开始启动全面运营。

  • Toshiba与WD正在研发128-Layer3DTLC存储器颗粒

    Toshiba与WD正在研发128-Layer3DTLC存储器颗粒 SSD 存储器 Toshiba2019-03-13 目前64-Layer3DTLC已经是主流SSD选配的存储器颗粒,用96-Layer颗粒的SSD也开始上市。然而这当然并不是终点,业界已经正在步向128-Layer的存储器颗粒了。

  • DRAM价格暴跌 韩国前景“一片乌云”

    DRAM价格暴跌 韩国前景“一片乌云” DRAM 三星 SK海力士2019-03-12 根据据韩媒《韩鲜日报》报导,DRAM的价格接连下跌,零售的计算机用DRAM价格最终也下跌到5万韩元以下,这样的走势比预期要快许多,预计今年出口的前景也不乐观。

  • 英特尔与USB推广组织合推USB 4 Thunderbolt普及力道大增

    英特尔与USB推广组织合推USB 4 Thunderbolt普及力道大增 USB 英特尔2019-03-12 Thunderbolt普及力道再添强大动能。USB推广组织(USBPromoterGroup)近日宣布即将发布USB4规格,该架构基于英特尔(Intel)提供的Thunderbolt协定规格,使USB的频宽加倍,并实现同步传送多个数据和显示器协定,也能与现有的USB3.2和USB2.0相容。

  • 创2011年以来单季最大跌幅! DRAM第一季度合约价跌幅近30%

    创2011年以来单季最大跌幅! DRAM第一季度合约价跌幅近30% DRAM 内存 SK海力士2019-03-08 根据DRAMeXchange最新调查,由于DRAM产业正值供过于求的市况,大部分交易已经改为月结价(MonthlyDeals),2月份更罕见出现价格大幅下调。目前季跌幅从原先预估的25%调整至逼近30%,是继2011年以来单季最大跌幅。

  • 英特尔:14 纳米缺货状况不会在 10 纳米或 7 纳米上重演

    英特尔:14 纳米缺货状况不会在 10 纳米或 7 纳米上重演 英特尔 14纳米2019-03-07 2018年下半年,因为处理器龙头英特尔(intel)的14纳米制程产能不足,造成了整体处理器市场的大缺货,进而导致了许多计算机大厂因此而业绩衰退,甚至影响到存储器与其他产品厂商的业绩。

  • 美光发布96层TLC闪存SSD:每天只能写入100GB

    美光发布96层TLC闪存SSD:每天只能写入100GB 美光 SSD 闪存2019-03-06 美光近日悄然发布了1300SSD,取代此前的1100系列,最大变化就是3DTLC闪存堆叠层数从32层跃升到了96层。SSD市场上,美光品牌主打OEM,旗下英睿达(Crucial)则面向林寿。

  • 拉响警报!DRAM价格历史首次连续两月两位数下跌

    拉响警报!DRAM价格历史首次连续两月两位数下跌 内存 DRAM NAND2019-03-06 内存价格下跌的幅度比预期的要大。DRAM价格历史上首次连续两个月以两位数的百分比下跌。NAND闪存价格也出现了自2014年以来的最大跌幅。

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