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Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界出色水平,提高功率密度和效率
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Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界出色水平,提高功率密度和效率

2020-10-27 18:05:50 来源:Vishay

【大比特导读】日前宣布,Vishay推出新型 40 V n 沟道 MOSFET 半桥功率级 ---SiZ240DT,可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。值得一提的是,集成式 MOSFET 采用无导线内部结构,最大限度降低寄生电感实现高频开关,从而减小磁器件和最终设计的尺寸。

日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新型 40 V n 沟道 MOSFET 半桥功率级 ---SiZ240DT,可用来提高白色家电以及工业、医疗和通信应用的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiZ240DT 在小型 PowerPAIR® 3.3 mm x 3.3 mm 单体封装中集成高边和低边 MOSFET,导通电阻和导通电阻与栅极电荷乘积,即功率转换应用中 MOSFET 的重要优值系数(FOM)达到业界出色水平。

SiZ240DT 中的两个 TrenchFET® MOSFET 内部采用半桥配置连接。SiZ240DT 的通道 1 MOSFET,通常用作同步降压转换器的控制开关,10 V 时最大导通电阻为 8.05 mΩ,4.5 V 时为 12.25 mΩ。通道 2 MOSFET,通常用作同步开关,10 V 时导通电阻为 8.41 mΩ,4.5 V 时为 13.30 mΩ。这些值比紧随其后的竞品低 16 %。结合 6.9 nC(通道 1)和 6.5 nC(通道 2)低栅极电荷,导通电阻与栅极电荷乘积 FOM 比位居第二的器件低 14 %,有助于提高快速开关应用的效率。

日前发布的双 MOSFET 比采用 6 mm x 5 mm 封装的双器件小 65 %,是目前市场上体积最小的集成产品之一。除用于同步降压,DC/DC 转换半桥功率级之外,新型器件还为设计师提供节省空间的解决方案,适用于真空吸尘器、无人机、电动工具、家庭 / 办公自动化和非植入式医疗设备的电机控制,以及电信设备和服务器的无线充电器和开关电源。

集成式 MOSFET 采用无导线内部结构,最大限度降低寄生电感实现高频开关,从而减小磁器件和最终设计的尺寸。其优化的 Qgd / Qgs 比降低噪声,进一步增强器件的开关特性。SiZ240DT 经过 100 % Rg 和 UIS 测试,符合 RoHS 标准,无卤素。

Vishay推出集成式40 V MOSFET半桥功率级,RDS(ON)和FOM达到业界出色水平,提高功率密度和效率

新型双 MOSFET 现可提供样品并已实现量产,大宗订货供货周期为 12 周。

 

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