晶圆生产商和台湾存储芯片厂商在全球范围内占据着绝对的市场优势
2021-01-20 10:32:31 来源:晚间热点站
【哔哥哔特导读】目前中国本土的存储芯片设计商也已经进入竞争激烈状态。不得不承认的是,预估未来几年国内应该先不会升级工艺。有的时候升级一代工艺其实是一种趋势,和另一个技术的升级一样。
面对韩国企业的高度竞争,amd等公司不得不出售自家的设备寻求进入市场,也给存储器产业生存造成了一定影响。目前中国本土的存储芯片设计商也已经进入竞争激烈状态,就比如intel、三星、sk海力士以及北京君正等先进代工厂商在国内拥有巨大的市场份额。并且未来还有越来越多高性能计算芯片厂商会涌入到存储芯片市场。
存储芯片在目前处于高度竞争的状态,生产存储芯片的厂商多样性分散性强,因此各个公司之间会进行类似于摩尔定律的竞争,导致供给一般化,存储芯片的价格会下降。事实上,slc和mlcd的耗能都比cvd和nand的要低,因此未来容量占比将会逐渐降低,价格会相对更加便宜。cvd将会是下一个趋势。
存储芯片主要分为三大块,以mlcd为主的工艺,将会逐渐实现大部分处理器工艺的商用化。intel会逐渐向高性能处理器进行转型,生产和供应高性能cpu等芯片,最终部分cpu将会由于集成度不够而削减,导致市场空间下降,开始实现普通处理器、笔记本等规模化。intel也将会在今年推出cpu后缀带m的处理器。
市场上还有韩国企业sk海力士和三星也在逐渐进入高性能、更小体积和较低功耗的存储芯片市场。而高端存储芯片之争将会进一步加剧,还有“新贵”将会出现,就是intel。有消息称,intel将推出过去smt(samsungmicroarchitecturetechnology,smt)工艺,性能提升30%,能耗降低15%,良率要求更低。2012年时国内还没有完全开始进入存储器市场,业内人士对此也很担心,担心供给不足,这是否会逼出其他高性能的存储芯片生产商。不过现在看来,国内集成电路行业发展的步伐一步步加快,产能普遍偏少的情况在下降,未来这种担心肯定是不利的。
预估未来几年国内应该先不会升级工艺。有的时候升级一代工艺其实是一种趋势,和另一个技术的升级一样。这种落后其实是好事,等明年基带技术成熟,下一代cpu应该就能用上了。当前3g是老的,4g应该也不是什么高新技术。半导体市场的紧密度对下一代存储器产生了很大的影响。大量手机处理器都是7nm,一次创新要是连续使用才能带来成本上的下降和利润增加。或者降低工艺对固态硬盘这种之前只有c7f0的方案也有冲击。顺带一提,未来的硬盘应该都会归到闪存里面。存储器大量的需求来自内存卡以及mini主板这一块。
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长江存储计划今年把产量提高一倍,计划到下半年将每月的存储芯片产量提高到 10 万片晶圆,约占全球总产量的 7%。不得不承认的是,长江存储已经撼动了全球 NAND 闪存市场,除此之外,长江存储还是中国建立自主的半导体产业链的重要推动力。
据媒体报道,继去年12月发布窗口期延长通知函后,Microchip(微芯半导体)再次发布通知函,需要注意的是,近期MOSFET、存储芯片等均出现涨价趋势,预计供不应求情况将延续。
因为我们都知道落后就要挨打,因此我国多个行业的厂商都想快点实现国产化,这样才不会受制于人,对于存储芯片我国一直依靠进口,但是近日就传来好消息,到底是什么呢?一起看看吧!
说到存储芯片你对它的认识有多少呢?我们都知道存储芯片的未来发展前景是不可忽视的,存储芯片通常会运用在企业级存储系统的应用,之前一直被美国与韩国垄断,但是现在我国已经打破了垄断,下面就来了解下情况。
近日,韩国技术信息部宣布,该国UNIST 能源与化学工程学院李俊熙教授带领的研究团队,提出了一种新的物理现象,利用FRAM(铁电体存储器)技术,可以替代当前主流的DRAM或NAND闪存,有望将指甲大小的存储芯片存储容量提高 1000 倍。
据韩媒报道,韩国技术信息部宣布该国的一个研究小组发现了一种将存储芯片的存储容量提高 1000 倍的方法,同时提高了利用 0.5 纳米工艺技术的可能性,此外,韩国研究团队发现了只需改变电压,就能在每个原子上储存信息的新概念存储器半导体原理。
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