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意法半导体“单片多硅技术”历史成就荣获著名的IEEE里程碑奖
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意法半导体“单片多硅技术”历史成就荣获著名的IEEE里程碑奖

2021-05-21 18:07:08 来源:TechWeb

【哔哥哔特导读】5月21日消息,意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)宣布,电气与电子工程师协会(IEEE)授予意法半导体IEEE里程碑奖,表彰公司在超级集成硅栅半导体工艺技术方面的开创性研究成果。

5月21日消息,意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)宣布,电气与电子工程师协会(IEEE)授予意法半导体IEEE里程碑奖,表彰公司在超级集成硅栅半导体工艺技术方面的开创性研究成果。意法半导体的BCD技术可以单片集成双极工艺高精度模拟晶体管、CMOS工艺高性能数字开关晶体管和高功率DMOS晶体管,适合复杂的、有大功率需求的应用。多年来,BCD工艺技术已赋能硬盘驱动器、打印机和汽车系统等终端应用取得了颠覆性发展。

意法半导体“单片多硅技术”历史成就荣获著名的IEEE里程碑奖

在意法半导体Agrate工厂举行的现场 / 线上揭牌仪式上,IEEE意大利分部人道主义活动委员会协调员兼前任秘书Giambattista Gruosso和意法半导体总裁兼首席执行官Jean-Marc Chery共同揭开了IEEE里程碑牌匾。

该牌匾将放置在意法半导体在意大利米兰市近郊的两个曾经承担多硅栅多功率BCD开发工作的意大利布里安札的Agrate工厂和意大利米兰Castelletto工厂的大门口。

牌匾上写着:

IEEE里程碑

单片多硅技术,1985年

SGS(现为意法半导体)率先采用单片集成双极型晶体管、CMOS晶体管和DMOS晶体管(BCD)的超级集成硅栅极工艺,解决复杂的、有大功率需求的应用设计难题。首个BCD超级集成电路L6202可以控制最高60V-5A的功率,开关频率300kHz。随后的汽车、计算机和工业自动化广泛采用了这项工艺技术,让芯片设计人员能够灵活、可靠地单片集成功率、模拟和数字信号处理电路。

IEEE于1983年建立了里程碑计划,以表彰在独特产品、服务、有影响力的论文和专利中造福人类的技术创新和卓越成就。每一个里程碑奖都代表了一项至少是25年前在IEEE代表的技术领域产生的至少具有地区影响力的重要技术成就。目前,IEEE在全球范围内批准并颁发了大约220块IEEE里程碑牌匾。

在上个世纪八十年代初期,意法半导体工程师开始寻找可靠的方法解决各种电子应用问题,并第首先在一颗单芯片上集成异质晶体管和异质二极管。工程师着眼于多个细分市场的客户需求,着力于在数字逻辑的控制下提供数百瓦的电力,而且控制逻辑技术遵循摩尔定律。目标器件还将支持精确的模拟功能,并最大程度地降低功耗,无需使用散热器。

这些研发活动最终产生了一种新的集成硅栅技术。这种被称为BCD (双极、CMOS、DMOS) 的技术利用复杂的互连方法在单个芯片上集成二极管、双极线性晶体管、复杂CMOS逻辑和多个DMOS功率晶体管。BCD首个芯片是L6202电动机全桥驱动器,工作电压60V,电流1.5A,开关频率300kHz,达到所有设计目标。这个新的可靠工艺技术让芯片设计人员能够在单个芯片上灵活地集成功率、模拟和数字信号处理电路。

从推出BCD工艺至今,意法半导体已经售出400多亿颗硅栅多功率BCD器件/芯片,第十代BCD技术即将开始投产。在欧洲和亚洲,意法半导体前后工序制造工厂的这项BCD技术广泛用于汽车子系统、智能手机、家用电器、音频放大器、硬盘、电源、打印机、微型投影仪、照明、医疗设备、电动机、调制解调器、显示器等。

意法半导体总裁、首席执行官Jean-Marc Chery表示:“在80年代初, 智能电源还是一个独树一帜的概念,我们的一个有远见和眼光的天才技术团队认识到智能电源的价值,创造了一项非凡成就,将双极晶体管的高精度功能与CMOS数字控制和DMOS的高功率整合成一颗芯片。到现在,已经过去35年并经历了9次技术迭代,我们产出500万片晶圆,售出400亿颗芯片 – 仅去年一年就售出近30亿颗芯片。能够得到这一IEEE里程碑匾额意味着ST的BCD技术将被写进推进人类发展的科技史册,对此,我们的自豪无以言表。”

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