哔哥哔特商务网旗下:
智能照明 智能家电 AI+IoT与智能家居 电机驱动与控制 快充与无线充 电驱动与BMS 锂电保护与BLDC 智能四表 汽车照明
/>
广告
广告
意法半导体针对高能效功率变换应用,推出新的 45W和150W MasterGaN 产品
您的位置: 半导体器件应用网 >>新品速递 >> 正文

意法半导体针对高能效功率变换应用,推出新的 45W和150W MasterGaN 产品

2021-09-09 16:08:37 来源:意法半导体

【哔哥哔特导读】中国,2021 年 8 月 27 日——为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术,意法半导体发布了MasterGaN3*和 MasterGaN5两款集成功率系统封装,分别面向高达 45W 和 150W的功率变换应用。

中国,2021 年 8 月 27 日——为了更方便的转型到高能效的宽禁带半导体技术,意法半导体发布了MasterGaN3*和 MasterGaN5两款集成功率系统封装,分别面向高达 45W 和 150W的功率变换应用。

意法半导体针对高能效功率变换应用,推出新的 45W和150W MasterGaN 产品

连同面向 65W 至 400W 应用的MasterGaN1、MasterGaN2 和MasterGaN4,这两款新产品为设计开关式电源、充电器、适配器、高压功率因数校正 (PFC) 和 DC/DC 变换器的工程师选择合适的氮化镓 (GaN) 器件和驱动解决方案提供了更多的灵活性。

意法半导体的 MasterGaN 概念简化了GaN 宽禁带功率技术替代普通硅基MOSFET的发展进程。新产品集成两个 650V 功率晶体管与优化的高压栅极驱动器和相关的安全保护电路,消除了栅极驱动器和电路布局设计挑战。因为 GaN 晶体管可以实现更高的开关频率,新的集成功率系统封装可使电源尺寸比基于硅的设计缩小 80%,并且具有很高的稳健性和可靠性。

MasterGaN3 的两个 GaN 功率晶体管的导通电阻值 (Rds(on))不相等,分别为 225mΩ 和 450mΩ ,使其适用于软开关和有源整流变换器。在 MasterGaN5 中,两个晶体管的导通电阻值 (Rds(on))都是450mΩ,适用于 LLC 谐振和有源钳位反激变换器等拓扑。

与MasterGaN产品家族的其他成员一样,这两款器件都有兼容3.3V 至 15V 逻辑信号的输入,从而简化了产品本身与 DSP处理器、FPGA 或微控制器等主控制器和霍尔传感器等外部设备的连接。新产品还集成了安全保护功能,包括高低边欠压锁定 (UVLO)、栅极驱动器互锁、过热保护和关断引脚。

每款MasterGaN产品都有一个配套的专用原型开发板,帮助设计人员快速启动新的电源项目。 EVALMASTERGAN3 和 EVALMASTERGAN5开发板都包含一个单端或互补驱动信号发生器电路。板载一个可调的死区时间发生器,以及相关的设备接口,方便用户采用不同的输入信号或 PWM 信号,连接一个外部自举二极管来改进容性负载,为峰流式拓扑插入一个低边检流电阻。

MasterGaN3 和 MasterGaN5 现已量产,采用针对高压应用优化的9mm x 9mm GQFN 封装,高低压焊盘间爬电距离为 2mm。

声明:转载此文是出于传递更多信息之目的。若有来源标注错误或侵犯了您的合法权益,请与我们联系,

我们将及时更正、删除,谢谢。

  • 赞一个(
    0
    )
  • 踩一下(
    1
    )
分享到:
阅读延展
意法半导体

微信

第一时间获取电子制造行业新鲜资讯和深度商业分析,请在微信公众账号中搜索“哔哥哔特商务网”或者“big-bit”,或用手机扫描左方二维码,即可获得哔哥哔特每日精华内容推送和最优搜索体验,并参与活动!

发表评论

  • 最新评论
  • 广告
  • 广告
  • 广告
广告
粤B2-20030274号   Copyright Big-Bit © 2019-2029 All Right Reserved 哔哥哔特 版权所有     未经本网站书面特别授权,请勿转载或建立影像,违者依法追究相关法律责任