2021半导体产业风向标-《第三代半导体产业发展高峰论坛》
2021-10-11 15:52:56 来源：第三代半导体产业发展高峰论坛
【哔哥哔特导读】氮化镓GaN已在消费电子率先突破，中高压领域或后来居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作电压在1000V以下，成本在1美金左右。
第三代半导体材料的禁带宽度是第一代和第二代半导体禁带宽度的近3倍，在高温、高压、高功率和高频领域将替代前两代半导体材料。
氮化镓GaN已在消费电子率先突破，中高压领域或后来居上：采用GaN-on-Si的功率器件工作电压在1000V以下，成本在1美金左右。氮化镓GaN功率器件在低压领域(0-900V)率先商用，替代传统的硅基功率器件。更有实验室宣布最新工作电压可达1200V的硅基GaN外延片，如若该技术商业化顺利，1000V以上中高压领域，硅基GaN也有可能获得一部分市场份额。
新能源汽车为碳化硅SiC的最重要应用领域，如主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机和充电桩等。相较于硅基IGBT，碳化硅SiC MOSFET电动车的续航里程更长。EPA城市路况下，碳化硅SiC MOSFET相较于硅基IGBT，将节省77%的能量损耗。EPA高速路况下，碳化硅SiC MOSFET相较于硅基IGBT，节省85%的能量损耗。能耗节省直观增加车辆续航里程，使用碳化硅SiC MOSFET的电动车比使用硅基IGBT电动车将增加5-10%的续航里程。
目前我国厂商已布局第三代半导体的设备、衬底、外延和器件全产业链环节，包括难度最大的衬底长晶环节，自动化程度较高的外延环节和应用于下游市场的器件环节。整体来看我国第三代半导体全产业链自主可控能力较强。
氮化镓GaN单晶生长困难问题有何良策?
氮化镓GaN何时可提升其射频市场的渗透率?
碳化硅良率提升问题如何解决?
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更多您关心的第三代半导体尽在12月9日 深圳国际会展中心(宝安新馆)“ 第三代半导体产业发展高峰论坛 ”诚邀您听会交流。
同期峰会预告：
2021第四届“5G&半导体产业技术高峰会
时间：2021年12月8下午13:30-17:30日 地点：深圳国际会展中心(宝安)
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12月1日，全球最大的半导体封测巨头日月光投资控股股份有限公司(以下简称“日月光”)正式官宣，将其大陆四家工厂及业务出售给北京智路资产管理有限公司(以下简称“智路资本”)，交易对价约14亿6千万元美金(约合人民币93亿元)。
11月23日，铂科新材在投资者互动平台表示，公司芯片电感产品主要为CPU、GPU和IGBT等半导体芯片供电。
【2021年11月30日，德国慕尼黑和美国加州戴维斯讯】连接标准联盟(CSA)是一个致力于通过技术标准简化和协调物联网(IoT)的拥有400多家公司的组织。英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)作为半导体解决方案的全球领导者将作为发起人成员加入该联盟的董事会。
当前半导体行业国产替代下，国内MCU企业如雨后春笋般涌出，同时伴随智能化趋势，32位MCU成为当前的市场主流，而国产32位MUC目前的应用与市场情况如何？又将会有哪些创新发展？
SK海力士CEO Seok-hee Lee（李锡熙）近期和媒体沟通了无锡海力士半导体工厂的相关情况。
据媒体报道，比亚迪董事长王传福日前表示，在半导体领域，电动车对半导体的需求相较传统车对半导体的需求增加5-10倍。电动车是上半场，智能车是下半场，智能车对半导体的需求更大。
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