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华羿推出0.39 mΩ低内阻40V MOSFET
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华羿推出0.39 mΩ低内阻40V MOSFET

2021-10-28 12:02:06 来源:半导体器件应用网

【哔哥哔特导读】华羿微电子股份有限公司(简称“华羿微电”)根据电动工具市场发展的需求,最新推出了TOLL封装的40V N型MOSFET产品---HYG006N04LS1TA。

​随着电动工具小型化、便捷化、高功率化的快速发展,体积小、性能强成为了当下电动工具的“热潮”,华羿微电子股份有限公司(简称“华羿微电”)根据电动工具市场发展的需求,最新推出了TOLL封装的40V N型MOSFET产品---HYG006N04LS1TA,来提高电动工具中电机驱动效率及锂电池抗击能力。

华羿推出0.39 mΩ低内阻40V MOSFET华羿推出0.39 mΩ低内阻40V MOSFET
 

HYG006N04LS1TA 产品的封装外形及脚位图

“华羿微电”推出40V的HYG006N04LS1TA产品,具有低内阻、低QG、抗冲击性强的特点。导通电阻0.39 mΩ(Typ Vgs=10V),比市场上相近参数的产品内阻降低了21%,超低的内阻,降低了导通时的损耗;输入的电容为15500皮法,电荷的总充电量为231纳库,低的CISS、QG不但降低了方案的驱动损耗,同时也降低的MOSFET的并关损耗、从而整体提高客户方案的高效运行。此款产品晶圆表面打线均匀,表面过电流及散热均匀,有效改善热耗散特性,同时也满足了更高功率密度应用需求。

华羿推出0.39 mΩ低内阻40V MOSFET

HYG006N04LS1TA 产品主要参数

华羿推出0.39 mΩ低内阻40V MOSFET

华羿产品与国际友商产品性能对比图

华羿推出0.39 mΩ低内阻40V MOSFET

华羿推出0.39 mΩ低内阻40V MOSFET

华羿产品与国际友商产品温升对比图(相同条件)

单只产品 Vgs=10V,负载28A保护板测试,测试10分钟,HYG006N04LS1TA产品温度为61.2℃,比市场友商相近参数的产品温升低了5℃左右。

华羿推出0.39 mΩ低内阻40V MOSFET

6串锂电池抗冲击对比(单只)

一对产品在6串锂电池做电池输出短路保护测试,HYG006N04LS1TA产品通过了647A/1500us电流脉冲50次短路冲击没有损坏,友商产品只通过了647A /700us电流脉冲 50次短路冲击测试

HYG006N04NS1TA产品采用TOLL贴面式封装,产品封装尺寸为114.5 mm²,与传统TO-263封装相比,封装占用空间减小了40%,产品厚度减少了50%,整体节省空间60%,电流能力提升了50%,大幅减少安装占用空间,可帮助工程师灵活设计更高功率密度的方案,为客户方案节省空间成本。

华羿推出0.39 mΩ低内阻40V MOSFET

TOLL 封装与TO-263-6L封装对比

“华羿微电”近年取得了长远发展,成绩斐然,凭借优异的产品及良好的售后服务,我们已在功率半导体行业占据了举足轻重的地步,未来,我们将会再接再厉,研发、生产出更好的产品,为客户提供更适合的功率半导体产品与服务。

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