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Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60V和80V N沟道MOSFET,优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65mW
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Vishay推出PowerPAK® 8x8L封装60V和80V N沟道MOSFET,优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65mW

2022-02-09 16:02:26 来源:Vishay

【哔哥哔特导读】Vishay推出PowerPAK®8x8L封装60V和80V N沟道MOSFET,优异的RDS(ON) 导通电阻低至0.65mW,小型器件采用无引线键合鸥翼引线结构,提高板级可靠性。

宾夕法尼亚、MALVERN — 2022年2月7日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E,以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标,60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低导通电阻,工作温度可达+175 °C以及高连续漏极电流。节省空间的PowerPAK® 8x8L封装采用无引线键合鸥翼引线结构消除机械应力,有助于提高板级可靠性。

SiJH600E和SiJH800E超低导通电阻—10 V下典型值分别为0.65 mW和1.22 mW—比同代PowerPAK SO-8封装器件分别降低54 %和52 %,从而减小了传导功耗,实现节能的效果。

为提高功率密度,SiJH600E和SiJH800E连续漏极电流分别为373 A和288 A,封装占位面积比D2PAK封装减小60 %,高度降低57 %。为节省电路板空间,每款MOSFET还可以用来取代两个并联的PowerPAK SO-8器件。

器件规格表:

该Vishay Siliconix器件工作温度可达+175 °C,性能稳定可靠,适用于电源、电机驱动控制、电池管理和电动工具等应用同步整流。器件采用无铅 (Pb) 封装、无卤素、符合RoHS标准,经过100 % Rg和UIS测试。

封装对比表:

SiJH600E和SiJH800E现可提供样品。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech.Ô。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。

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