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随着宽禁带半导体材料成本得到明显下降，其应用情况将会发生明显变化。
宽禁带半导体典型代表氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)，第三代半导体相对于传统一、二代半导体其优点更为突出，如禁带宽度大、击穿电场强度强、高化学稳定性、高热导率、抗辐射好等优点，有望成为支撑众多行业发展的重要新材料。
第三代半导体材料是近年来迅速发展起来的以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝(AlN)为代表的宽禁带半导体材料。
从国家层面来讲，正在制定半导体照明标准，管芯的更换、控制电路的更换、散热器插头的更换都将制定出一套标准，企业可以做各种模式，但接口必须一致通用。寿命问题是哪块坏就换哪块。”北京大学物理学院教授、北京大学宽禁带半导体联合研究中心主任张国义接受本报记者采访时说：“LED外延芯片标准评审已经通过，今年上半年可能就推出了。”
